[实用新型]相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置

权利要求书

1.相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，其特征在于，包括箱体(100)和相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统(200)，所述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统(200)设在所述箱体(100)内；所述相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准系统(200)包括检测管路、高真空校准分系统(203)、低真空校准分系统(204)、机械泵(201)和分子泵(202)；所述检测管路包括导气管、电阻规G₅(223)、电磁隔断阀V₁₀(213)、手动隔断阀V₁(205)、微调阀V₅(209)和电磁隔断阀V₉(212)；所述电阻规G₅(223)、所述电磁隔断阀V₁₀(213)、所述分子泵(202)、所述手动隔断阀V₁(205)、所述微调阀V₅(209)和所述电磁隔断阀V₉(212)通过导气管依次连接；所述机械泵(201)依次经过电磁放气阀V₁₂(215)和挡油阱(216)与位于所述电阻规G₅(223)和所述电磁隔断阀V₉(212)之间的所述检测管路导通连接，所述高真空校准分系统(203)与位于所述手动隔断阀V₁(205)和所述微调阀V₅(209)之间的所述检测管路导通连接，所述低真空校准分系统(204)与位于所述微调阀V₅(209)和所述电磁隔断阀V₉(212)之间的所述检测管路导通连接，位于所述手动隔断阀V₁(205)和所述微调阀V₅(209)之间的所述检测管路与位于所述微调阀V₅(209)和所述电磁隔断阀V₉(212)之间的所述检测管路经过手动隔断阀V₆(210)和膨胀阀V₇(211)导通连接，位于所述微调阀V₅(209)和所述电磁隔断阀V₉(212)之间的所述检测管路微调阀V₁₁(214)与氮气存储装置(227)导通连接。

2.根据权利要求1所述的相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，其特征在于，所述高真空校准分系统(203)包括高真空室(217)、监测高真空电离规G₁(218)、标准电离真空规G₂(219)和高真空校准接入端(225)，所述监测高真空电离规G₁(218)与所述高真空室(217)导通连接，所述标准电离真空规G₂(219)与所述高真空室(217)导通连接，所述高真空室(217)通过手动隔断阀V₂(206)与所述高真空校准接入端(225)导通连接，所述高真空室(217)与位于所述手动隔断阀V₁(205)和所述微调阀V₅(209)之间的所述检测管路导通连接。

3.根据权利要求1所述的相对法高真空、相对法低真空及膨胀法一体式校准装置，其特征在于，所述低真空校准分系统包括低真空室(224)、1000Torr标准薄膜规G₃(220)、1Torr标准薄膜规G₄(222)和低真空校准接入端(226)，所述1000Torr标准薄膜规G₃(220)与所述低真空室(224)导通连接，所述1Torr标准薄膜规G₄(222)经过手动隔断阀V₈(221)与所述低真空室(224)导通连接，所述低真空室(224)通过手动隔断阀V₄(208)与所述低真空校准接入端(226)导通连接，所述低真空室(224)与位于所述电磁隔断阀V₉(212)和所述微调阀V₅(209)之间的所述检测管路导通连接，所述低真空室(224)通过手动隔断阀V₃(207)与所述高真空校准接入端(225)导通连接。