[实用新型]半导体晶圆减薄装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及圆片级封装领域，具体涉及一种半导体晶圆减薄装置。

背景技术

在圆片级封装领域，经过圆片级封装的半导体晶圆，一般都需要通过磨片机进行减薄厚度，其基本方式是通过半导体晶圆和研磨砂轮的相对运动来实现，分别是通过粗磨和精磨两个砂轮实现，精磨砂轮的颗粒尺寸直接决定了研磨的品质。

参见图1，转动机械轴1下方安装磨轮固定铸铁2，磨轮固定铸铁2下方安装磨轮3，产品硅片4吸附在产品承载平台5上，将磨轮3需要研磨的面向上放置，通过上部的磨轮3转动，来达到研磨的目的。如果需要研磨不同的面，需要更换不同的磨轮。

现有技术的磨片机作业时只能安装一个型号的精磨砂轮，而半导体圆片级封装领域对同一片晶圆又有不同的研磨品质的要求。例如有些产品需进行硅面和树脂面的减薄，其作业顺序只能是：先进行硅面减薄，更换树脂磨轮后再进行树脂面减薄。这样导致一片产品减薄硅面及树脂面，需要多次进行磨轮的更换，不但浪费材料，还大大降低了设备的利用率。

实用新型内容

在下文中给出关于本实用新型的简要概述，以便提供关于本实用新型的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本实用新型的穷举性概述。它并不是意图确定本实用新型的关键或重要部分，也不是意图限定本实用新型的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

为了解决现有技术的问题，本实用新型提供一种提高设备利用率，增加产能的半导体晶圆减薄装置。

为了实现上述目的，本实用新型采取的技术方案是：

一种半导体晶圆减薄装置，包括第一转动机械轴和第二转动机械轴，所述第一转动机械轴下方设有第一产品吸附平台，所述第二转动机械轴上方设有第二产品吸附平台，所述第一产品吸附平台与所述第二产品吸附平台之间设有磨轮，所述磨轮的上下表面均设有磨轮齿，所述磨轮的上表面与所述第一产品吸附平台相对设置，所述磨轮的下表面与所述第二产品吸附平台相对设置。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型的半导体晶圆减薄装置，可以同时实现不同研磨品质要求的半导体晶圆减薄研磨工艺，可以同时进行树脂面减薄和硅面减薄，提高设备利用率，成倍增加了磨片机产能及工艺的灵活性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的磨片机研磨部分的结构示意图；

图2为本实用新型提供的的半导体晶圆减薄装置的研磨部分结构示意图。

附图标记：

1-转动机械轴；2磨轮固定铸铁；3磨轮，30磨轮齿，31第一磨轮，32第二磨轮；4硅片；5产品承载平台；6第一转动机械轴；7第二转动机械轴；8第一产品吸附平台；9第二产品吸附平台；10贯穿轴；11树脂。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。在本实用新型的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本实用新型无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

参见图2，一种半导体晶圆减薄装置，包括第一转动机械轴6和第二转动机械轴7，第一转动机械轴6下方设有第一产品吸附平台8，第二转动机械轴7上方设有第二产品吸附平台9，第一产品吸附平台8与第二产品吸附平台9之间设有磨轮3，所述磨轮3的上下表面均设有磨轮齿30，磨轮3的上表面与第一产品吸附平台8相对设置，磨轮3的下表面与第二产品吸附平台9相对设置。

采用本实用新型的半导体晶圆减薄装置，可同时作业硅面及树脂面，实现硅面及树脂面的减薄，提高了设备利用率，增加了产能。