[实用新型]一种单电极低温等离子体发生设备有效

专利信息
申请号: 201420628414.4 申请日: 2014-10-28
公开(公告)号: CN204231737U 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 万京林;万良淏;万良庆 申请(专利权)人: 南京苏曼等离子科技有限公司
主分类号: H05H1/24 分类号: H05H1/24
代理公司: 南京钟山专利代理有限公司 32252 代理人: 戴朝荣
地址: 211199 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电极 低温 等离子体 发生 设备
【权利要求书】:

1.一种单电极低温等离子体发生设备,包括顺次相连接的高频电源模块、匹配模块和高频升压模块,其特征在于:所述高频升压模块的输出端还连接有一个金属球电极,所述金属球电极经过线电极与另一个金属球电极相连接。

2.如权利要求1所述的一种单电极低温等离子体发生设备,其特征在于:所述线电极的长度范围为50mm-5000mm,直径范围为0.1mm-1.0mm。

3.如权利要求2所述的一种单电极低温等离子体发生设备,其特征在于:所述金属球电极的直径范围为20mm-100mm。

4.如权利要求1所述的一种单电极低温等离子体发生设备,其特征在于:所述高频电源模块为高频正弦波电源,其频率范围在20KHz-200KHz。

5.如权利要求1所述的一种单电极低温等离子体发生设备,其特征在于:所述匹配模块为匹配电感。

6.如权利要求5所述的一种单电极低温等离子体发生设备,其特征在于:所述匹配电感的电感值范围为1mH-20mH。

7.如权利要求1所述的一种单电极低温等离子体发生设备,其特征在于:所述线电极上加载的高压为正弦高压,正弦高压设定的阈值为10000V~30000 V。

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