[实用新型]一种单电极低温等离子体发生设备有效
申请号: | 201420628414.4 | 申请日: | 2014-10-28 |
公开(公告)号: | CN204231737U | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 万京林;万良淏;万良庆 | 申请(专利权)人: | 南京苏曼等离子科技有限公司 |
主分类号: | H05H1/24 | 分类号: | H05H1/24 |
代理公司: | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人: | 戴朝荣 |
地址: | 211199 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电极 低温 等离子体 发生 设备 | ||
1.一种单电极低温等离子体发生设备,包括顺次相连接的高频电源模块、匹配模块和高频升压模块,其特征在于:所述高频升压模块的输出端还连接有一个金属球电极,所述金属球电极经过线电极与另一个金属球电极相连接。
2.如权利要求1所述的一种单电极低温等离子体发生设备,其特征在于:所述线电极的长度范围为50mm-5000mm,直径范围为0.1mm-1.0mm。
3.如权利要求2所述的一种单电极低温等离子体发生设备,其特征在于:所述金属球电极的直径范围为20mm-100mm。
4.如权利要求1所述的一种单电极低温等离子体发生设备,其特征在于:所述高频电源模块为高频正弦波电源,其频率范围在20KHz-200KHz。
5.如权利要求1所述的一种单电极低温等离子体发生设备,其特征在于:所述匹配模块为匹配电感。
6.如权利要求5所述的一种单电极低温等离子体发生设备,其特征在于:所述匹配电感的电感值范围为1mH-20mH。
7.如权利要求1所述的一种单电极低温等离子体发生设备,其特征在于:所述线电极上加载的高压为正弦高压,正弦高压设定的阈值为10000V~30000 V。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京苏曼等离子科技有限公司,未经南京苏曼等离子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420628414.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于电路板的超高可控硅防护结构
- 下一篇:LED灯温度调节电路