[实用新型]一种光伏电池有效
申请号: | 201420629820.2 | 申请日: | 2014-10-28 |
公开(公告)号: | CN204216054U | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 云飞;武宇涛 | 申请(专利权)人: | 云飞;武宇涛 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/054;H01L31/02 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 澳大利*** | 国省代码: | 澳大利亚;AU |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种光伏电池。
背景技术
传统的晶体硅光伏电池,具有正反两面的金属化电极结构,这些金属化的上下电极,对于光生载流的收集和传导起着关键性的作用,是光伏电池的主要结构之一,同时位于正面的金属化电极也对光伏电池的转换效率产生一定的影响,主要是对于光的遮挡损失,由此造成的功率损失在5%-9%左右。在形成组件的封装过程中,正面的汇流电极还需要和互连焊带焊接,将小的电池单元串接成更大功率的电池串,才能组装成具有一定功率的光伏组件。但在汇流带的焊接过程中,只是光伏焊带的叠加覆盖,同时相应的降低了一定的串联电阻,但是遮挡损失并没有得到解决。这一问题目前仍然是限制光伏产品输出功率提升的主要因素之一。
为了降低光伏电池的正面遮挡,行业内提出了各种不同的技术路线,包括汇流带的金属卷绕技术及封装技术,全背面接触技术,选用具有更长扩散长度和载流子寿命的N型硅材料等,但是这些技术对于目前的的光伏行业来进,要么过于复杂,要么材料成本过于昂贵,极大地限制了技术的推广和使用。
另外,近年来行业内也推出了几种所谓的无主栅技术,但是所谓的无主栅,其实只是将原来宽的扁焊带换成更多数量的圆铜线,并对其表面进行一定的焊接处理,利用光在圆铜线边缘区域的反射,是可以增加一小部分光线的利用,更多是一种“副”产品的效果,仍然没有彻底有效地解决遮挡损失的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于解决上述现有技术存在的缺陷,提供一种能够有效解决光伏电池正面遮挡损失结构的光伏电池。
一种光伏电池,包括从下到上依次层压设置的背板层、乙烯-醋酸乙烯共聚物(ethylene-vinyl acetate copolymer,以下简称:EVA)层、电池组层、EVA层、玻璃层;
所述电池组层包括若干电池片,所述若干电池片通过导电体电性互连为一体;在玻璃层上设置有截面为倒立三角形的槽形结构,该截面为倒立三角形的槽形结构与电池片之间的间隙对应,三角形底边的宽度与电池片之间的间隙距离相符;该截面为倒立三角形的槽形结构6槽面光滑,能够将射到其槽面上的光线折射到电池片可接收光线的区域。
进一步地,如上所述的光伏电池,所述截面为倒立三角形的槽形结构,所述三角形的两个底角角度不小于45度,且内壁透明。
进一步地,如上所述的光伏电池,所述导电体垂直于电池片上的指栅线,且导电体与指栅线电性连接;
所述导电体包括导电带以及粘贴在其上的截面为三角形的反光三棱柱,所述反光三棱柱的长度与电池片的长度相等,反光三棱柱粘贴在电池片上的导电体上。
进一步地,如上所述的光伏电池,所述导电体为金属焊接带,该金属焊接带垂直于电池片正面电极上的指栅线,且与其电性连接;在玻璃层上设置有与所述金属焊接带位置对应的截面为倒立三角形的槽形结构。
本实用新型提供的光伏电池,由于在玻璃上设置了截面为倒立三角形的槽形结构,该截面为倒立三角形的槽形结构与电池片间隙之间的部位对齐,使得本来射向电池片间隙之间的光线也折射到了电池片上,从而有效地有解决了太阳能光伏电池光遮挡损失的问题,提高了光伏电池组件对光的吸收率。
附图说明
图1为本实用新型光伏电池剖面层状结构示意图;
图2为本实用新型导电体结构示意图;
图3为本实用新型单个电池片与导电体连接示意图;
图4为本实用新型若干电池片与导电体互连结构示意图;
图5为本实用新型光伏电池俯视图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面本实用新型中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
图1为本实用新型光伏电池剖面层状结构示意图,如图1所示,本实用新型提供的光伏电池包括:从下到上依次层压设置的背板层1、EVA层2、电池组层4、EVA层2、玻璃层5;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的