[实用新型]化学机械抛光垫

说明书

技术领域

本实用新型涉及化学机械抛光的技术领域，更具体地说，本实用新型涉及一种化学机械抛光垫。

背景技术

化学机械平坦化（CMP）是光学、半导体以及其它电子器件制造工艺中的常用技术，使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的玻璃基片、硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。在常规的CMP工艺中，待抛光的衬底被固定在载体组件上，并使衬底与CMP工艺中的抛光层接触并提供受控的压力，同时使抛光浆料在抛光层表面流动。在设计抛光层时，需要考虑的主要因素有抛光浆料在抛光层上的分布，新鲜抛光浆料进入抛光轨迹的流动，抛光浆料从抛光轨迹的流动，以及流过抛光区域基本未被利用的抛光浆料的量等等。为了减少基本未被利用的抛光浆料的量以及提高抛光效率和质量，在现有技术中，需要在抛光层表面设计各种图案，然而本领域的技术人员都知道抛光速率、抛光浆料消耗以及抛光效果等很难兼得，现有技术中也公开了多种改进结构以期降低抛光浆料消耗并使得抛光浆料在抛光层上的保持时间最长的结构和图案，然而需要在保证抛光速率、质量的基础上，进一步降低抛光层上抛光浆料的未利用量，减少抛光浆料的浪费。

实用新型内容

为了解决现有技术中的上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种化学机械抛光垫。

为了实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：

一种化学机械抛光垫，包括背板层和抛光层，所述背板层具有支持面和内表面；其特征在于：所述抛光层具有在抛光浆料存在的条件下对基片表面进行抛光的抛光面，与所述背板层内表面相粘结的非抛光面，所述抛光层具有中心区域以及位于所述中心区域外的外围区域；并且所述抛光层包括从所述抛光层的抛光面延伸至所述背板层的支持面的中心通孔，以及位于中心区域并且与该中心通孔同心并且通过十字通道连通的多个环形凹槽，以及从所述环形凹槽向所述外围区域延伸的多个辐射凹槽，并且所述辐射凹槽在所述外围区域的外缘形成有分支凹槽。

其中，所述环形凹槽的深度大于所述辐射凹槽以及分支凹槽的深度。

其中，所述环形凹槽的横截面为U形、V形、长方形或半圆形。

其中，所述辐射凹槽的横截面为U形、V形、长方形或半圆形。

其中，所述分支凹槽的横截面为U形、V形、长方形或半圆形。

其中，所述环形凹槽、辐射凹槽以及分支凹槽的宽度为0.2~1.2 mm。

其中，所述背板层和所述抛光层为圆盘状。

其中，所述背板层的直径大于或等于所述抛光层的直径。

其中，所述抛光层的直径为50~800 mm，并且所述抛光层的厚度为1.5~5.0 mm。

与现有技术相比，本实用新型所述的化学机械抛光垫具有以下有益效果：

本实用新型所述的化学机械抛光垫，可以用于光学玻璃或树脂镜片，半导体硅或二氧化硅基片，以及其它电子器件所采用的介质材料基片或金属基片的抛光处理，而且所述装置通过中心通孔给所述抛光装置的抛光面补充抛光浆料，通过螺旋凹槽和辐射凹槽的设置不仅提高了抛光浆料的有效使用率，而且有利于减少基片中心区域以及周边区域抛光量的偏差，不仅保证了适当的抛光速率，而且有利于减少抛光表面的划痕数量；另外，由于外界的空气也可以从所述中心通孔进入到基片与抛光层的界面中，从而有利于基片的转移。

附图说明

图1为实施例1所述化学机械抛光垫横截面的结构示意图；

图2为实施例1所述化学机械抛光垫的抛光面的结构示意图。

具体实施方式

以下将结合具体实施例对本实用新型所述的化学机械抛光垫做进一步的阐述，以帮助本领域的技术人员对本实用新型的实用新型构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。

实施例1