[实用新型]用于可见光高速通信的LED灯具有效
申请号: | 201420630798.3 | 申请日: | 2014-10-28 |
公开(公告)号: | CN204141340U | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 张琦;黄慧诗 | 申请(专利权)人: | 江苏新广联光电股份有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V19/00;F21V29/00;H01L27/15;F21Y101/02 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;张涛 |
地址: | 214192 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 可见光 高速 通信 led 灯具 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种LED灯具,尤其是一种用于可见光高速通信的LED灯具,属于LED可见光通信的技术领域。
背景技术
自2000年可见光通信的概念出现至今,实验室已经实现利用白光LED作为光源同时满足照明与通信的要求。与其他光源相比,白光LED具有更高的调制带宽,更有利于实现高速通信。目前,用于可见光通信灯具的LED白光光源是PC-LED(蓝光LED芯片表面涂覆黄色荧光粉产生白光),通过对电源电流调制使LED灯具产生明暗变化,产生可用于通讯的二进制0、1信号。采用此方法的LED灯具通讯速度一般只能达到几个Mb/S,难以满足高速通信的要求。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种用于可见光高速通信的LED灯具,其结构紧凑,提升了LED灯的光效,提高了通信带宽,能满足高速通信的要求,适应范围广,安全可靠。
按照本实用新型提供的技术方案,所述用于可见光高速通信的LED灯具,包括灯罩以及位于所述灯罩内的基板,所述基板上设置若干用于可见光通信的LED光源,所述LED光源采用RGB-LED光源,LED光源内的红光LED芯片、蓝光LED芯片以及绿光LED芯片均采用高压芯片封装结构。
所述采用高压芯片封装结构的蓝光LED芯片或绿光LED芯片包括衬底以及位于所述衬底上的若干N型GaN层,衬底上的相邻N型GaN层通过隔离槽相隔离,所述N型GaN层上设置有多层量子阱,所述多层量子阱上设置P型GaN层,在P型GaN层上设置电流扩展层,所述电流扩展层上覆盖有绝缘层,所述绝缘层填充在隔离槽内;在衬底的上方设置P打线电极与N打线电极,所述P打线电极与N打线电极分别位于外侧的N型GaN层上方,P打线电极与下方对应的电流扩展层电连接,N打线电极与下方对应的N型GaN层电连接;填充有绝缘层的隔离槽内设置有PN互连电极层,以通过PN互连电极层将衬底上的多个芯片串接成高压芯片。
所述衬底采用蓝宝石衬底,绝缘层为二氧化硅层。
所述PN互连电极层支撑在绝缘层上,PN互连电极层的一端与隔离槽一侧的N型GaN层电连接,PN互连电极层的另一端与隔离槽另一侧的N型GaN层上方的电流扩展层电连接。
所述灯罩采用散热器,所述散热器的底端设有面罩,所述散热器与面罩间设有导光板,所述导光板位于基板的正下方。
所述散热器外的顶端设置驱动调制电源,所述驱动调制电源通过电源支架安装在散热器外的顶端,散热器的外壁具有若干散热翅片;所述驱动调制电源提供LED光源的工作电源,并能LED光源的工作电流进行调制。
所述驱动调制电源对LED光源的电流进行2n(n为大于1的整数)阶的调制,以得到在可见光通信中的多阶信号。
本实用新型的优点:灯罩内的LED光源采用RGB-LED光源,且RGB-LED光源中,红光LED芯片、蓝光LED芯片以及绿光LED芯片采用高压芯片的封装结构,从而能够有效提高可见光通信中的带宽,提高可见光通信的响应速率,对LED光源采用多阶电流调制,提高可见光通信中的传输信息容量以及通信速率,结构紧凑,适应范围广,安全可靠。
附图说明
图1为本实用新型的立体图。
图2为本实用新型的剖视图。
图3为本实用新型蓝光LED芯片或绿光LED芯片的高压封装的结构示意图。
图4为本实用新型高压封装的剖视图。
附图标记说明:1-面罩、2-弹簧卡扣、3-驱动调制电源、4-散热器、5-定位圈、6-电源支架、7-基板、8-导热胶、9-LED光源、10-导光板、11-衬底、12-N型GaN层、13-多层量子阱、14-P型GaN层、15-电流扩展层、16-绝缘层、17-P打线电极、18-PN互连电极层以及19-N打线电极。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
如图1和图2所示:为了提升了LED灯的光效,提高了通信带宽,能满足高速通信的要求,本实用新型包括灯罩以及位于所述灯罩内的基板7,所述基板7上设置若干用于可见光通信的LED光源9,所述LED光源9采用RGB-LED光源,LED光源9内的红光LED芯片、蓝光LED芯片以及绿光LED芯片均采用高压芯片封装结构。
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