[实用新型]双寄生LTE天线有效

专利信息
申请号: 201420631226.7 申请日: 2014-10-28
公开(公告)号: CN204179213U 公开(公告)日: 2015-02-25
发明(设计)人: 牛兴刚;张中俊;江勇 申请(专利权)人: 普尔信通讯科技(深圳)有限公司
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36;H01Q5/10;H01Q5/20;H01Q5/385
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 任哲夫
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 寄生 lte 天线
【权利要求书】:

1.一种双寄生LTE天线,其特征在于:它包括第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元、第四辐射单元、第五辐射单元、第一寄生单元及第二寄生单元;所述第二辐射单元呈两级台阶形,其较矮的一级台阶的端部连接第一辐射单元,另一级台阶端部连接第三辐射单元;

所述第一辐射单元的一端与第二辐射单元相连,另一端间隔于较矮的一级台阶沿第二辐射单元另一级台阶方向延伸形成有第一水平段、第一水平段端部向上延伸形成有第一竖直段,第一竖直段端部沿第二辐射单元另一级台阶方向延伸形成有第二水平段;

所述第三辐射单元包括第三竖直部,第三竖直部左部与第二辐射单元相连、右部连接第四辐射单元、上部沿第一辐射单元方向延伸形成第三水平段、下部连接第五辐射单元;

所述第五辐射单元呈条状,其端部设有信号馈电;

于第五辐射单元两侧间隔设有第一寄生单元及第二寄生单元;于第一寄生单元端部设有第一接地馈电;于第二寄生单元端部设有第二接地馈电。

2.如权利要求1所述的双寄生LTE天线,其特征在于:所述第一辐射单元的第一水平段与第二辐射单元较矮的一级台阶间隔0.5-1.2mm。

3.如权利要求1所述的双寄生LTE天线,其特征在于:所述第一寄生单元与第五辐射单元间隔0.5-0.8mm。

4.如权利要求1所述的双寄生LTE天线,其特征在于:所述第二寄生单元与第五辐射单元间隔0.5-0.8mm。

5.如权利要求1所述的双寄生LTE天线,其特征在于:所述第二辐射单元的两级台阶宽1.2-1.8mm。

6.如权利要求1所述的双寄生LTE天线,其特征在于:所述第三辐射单元的第三水平段与第二辐射单元的另一级台阶间隔8-10mm。

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