[实用新型]芯片型固态电解电容器

说明书

技术领域

本实用新型是关于一种固态电解电容器，特别是指一种产品良率高且可靠度优异之芯片型固态电解电容器。 

背景技术

随着半导体制程技术的进步，使得半导体构装的产品因市场需求开始发展出更精密、更先进的电子组件。就可携式电子产品而言，消费者所期待者须充分满足轻薄化、高频化、多功能化、高可靠度及符合RoHS，故传统液态电解电容器已逐渐无法满足需求，进而固态电解电容器因应而生。 

固态电解电容器为最常見的电容被動元件之一，主要是在铝、钽、铌、钛等阀金属(Valve metal)的表面采用阳极氧化法(Anodic oxidation)生成一薄层氧化物作为电介质后，再以电解质作为阴极而构成；目前工业化生产的电解电容器主要以铝质固态电解电容器(Aluminium solid electrolytic capacitor)和钽质固态电解电容器(Tantalum solid electrolytic capacitor)为主。 

对于铝质固态电解电容器，其所使用的铝质基材是先对铝原箔进行电解蚀刻，形成表面具有微孔之腐蚀箔后，再利用切割或冲压等方式将腐蚀箔切割成符合预定大小及形状的铝箔单元，最后对铝箔单元进行化成而形成的表面具有氧化皮膜之化成箔(Forming foil)。然而，在经过切割或冲压后，铝质基材的周缘多少会产生微裂、毛边(毛刺)、形变等缺陷，造成其上之氧化皮膜附着不完全，从而在后续的制程中造成因应力引起的损伤与漏电流。除此之外，诸如温度、湿度、气压、振动等许多外在的环境因素都会引起现有的铝质固态电解电容器性能上的劣化。 

进一步而言，为增加电容器之电容量，业界常以阴极部彼此堆栈的方式将多个铝质固态电解电容器并联连接，从而获得较大的电容量相加(为该等电容器之电容量的总和)。惟，不论使用何种堆栈方式，皆可能有单一电容器因其本身机械强度不足而发生损坏的情形发生。 

针对上述的铝质固态电解电容器存在的缺陷或不足，本实用新型人遂以其多年从事各种电容器的制造经验和技术累积，积极地研究如何利用较简单的结 构改良设计完成可靠度较佳的铝电解电容器，终于在各方条件的审慎考虑下开发出本实用新型。 

实用新型内容

本实用新型之主要目的在于提供一种机械强度较佳且抗形变能力较强的芯片型固态电解电容器，以期能改善先前技术之缺失。 

为达上述的目的及功效，本实用新型采用以下技术内容：一种芯片型固态电解电容器，包括一基材层、一电性绝缘件、一导电高分子层、一图案化补强层及一电极层，其中该电性绝缘件形成于该基材层上，用以在该基材层上界定出一阳极部及一阴极部，该导电高分子层形成于该阴极部上，该图案化补强层形成于该导电高分子层上，该电极层形成于该图案化补强层上。 

其中该基材层包括一金属基材及一氧化皮膜层，该金属基材具有一第一表面、一与该第一表面相对的第二表面及一位于该第一表面与该第二表面之间的环侧表面，该氧化皮膜层包覆该金属基材之第一及第二表面与一部分的环侧表面。 

其中该图案化补强层进一步溢出而形成一护面层，该护面层包覆该金属基材、该氧化皮膜层及该导电高分子层的裸露侧表面。 

本实用新型至少具有以下有益效果：本实用新型芯片型固态电解电容器透过在导电高分子层与电极层(包含碳胶层和银胶层)之间配置一图案化补强层，除了能有效防止因受挤压或撞击而发生性能劣化外，还能补强氧化皮膜或高分子层的缺陷，以防止漏电流。 

本实用新型的其他目的和优点可以从本实用新型所揭露的技术内容得到进一步的了解。为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例并配合所附图式作详细说明如下。 

附图说明

图1为本实用新型之第一实施例之芯片型固态电解电容器之立体示意图。 

图2为本实用新型之第一实施例之芯片型固态电解电容器之剖面示意图。 

图3A为本实用新型之芯片型固态电解电容器之图案化补强层之一种态样之示意图(一)。 

图3B为本实用新型之芯片型固态电解电容器之图案化补强层之一种态样之示意图(二)。 

图4为本实用新型之芯片型固态电解电容器之图案化补强层之另一种态样 之示意图。 

图5A为本实用新型之芯片型固态电解电容器之图案化补强层之又一种态样之示意图(一)。 

图5B为本实用新型之芯片型固态电解电容器之图案化补强层之又一种态样之示意图(二)。