[实用新型]有机发光二极管显示器

说明书

技术领域

本实用新型整体涉及电子设备，并且更具体地涉及带有具有薄膜晶体管的显示器的电子设备。

背景技术

电子设备通常包括显示器。例如，蜂窝电话和便携式计算机包括用于向用户呈现信息的显示器。

显示器诸如有机发光二极管显示器具有基于发光二极管的像素阵列。在这种类型的显示器中，每个像素均包括发光二极管和薄膜晶体管，该薄膜晶体管用于控制向发光二极管施加信号。

如果不小心，则显示器的薄膜晶体管电路可表现出过量的晶体管漏电流、不足的晶体管驱动强度、差的面积效率、磁滞、不均匀度和其他问题。因此，期望能够提供改进的电子设备显示器。

实用新型内容

鉴于上述问题，提出本公开的一些实施例，其旨在至少部分地解决现有技术中的一些技术问题。

根据本公开的一个方面，提供一种有机发光二极管显示器，包括：基板；形成所述基板的有效区域的像素电路阵列；和所述基板的无效区域中的电路，其中每个像素电路包括：有机发光二极管；与所述有机发光二极管串联耦接的硅晶体管；耦接至所述硅晶体管的存储电容器；和耦接至所述存储电容器的半导体氧化物晶体管。

可选地，所述基板在所述无效区域中是弯曲的。

可选地，所述有机发光二极管显示器还包括电介质层，其中所述电介质层存在于所述有效区域中，并且其中所述电介质层中的至少一些不存在于所述无效区域中。

可选地，每个像素电路中的所述硅晶体管包括硅沟道，其中所述电介质层包括介于所述基板和所述硅沟道之间的缓冲层，并且其中所述缓冲层不存在于所述无效区域中。

可选地，所述有机发光二极管显示器还包括所述有效区域中的第一金属层，其中所述第一金属层中的一些形成用于每个像素电路中的所述硅晶体管的栅极。

可选地，所述第一金属层中的一些形成用于每个像素电路中的所述半导体氧化物晶体管的栅极。

可选地，所述有机发光二极管显示器还包括第二金属层，其中所述第二金属层在所述有效区域中是图案化的以形成用于所述硅晶体管并且用于所述半导体氧化物晶体管的源极-漏极端子。

可选地，所述第二金属层在所述无效区域中是图案化的以形成在所述像素电路阵列和所述无效区域中的电路之间耦接的数据线。

可选地，所述基板是弯曲的柔性基板，并且其中所述数据线是弯曲的并在所述基板的表面上形成，使得没有所述电介质层插入在所述数据线和所述基板之间。

可选地，每个像素中的所述半导体氧化物晶体管包括半导体氧化物沟道。

可选地，所述电介质层包括氮化硅层，所述氮化硅层与每个像素电路中的所述硅晶体管的所述硅沟道重叠并且不与每个像素电路中的所述半导体氧化物晶体管的所述半导体氧化物沟道重叠。

可选地，所述存储电容器具有由金属的第二层形成的第一电极并且具有第二电极。

可选地，所述电介质层包括另外的氮化硅层，其中所述另外的氮化硅层插入在每个像素电路中的所述存储电容器的所述第一电极和所述第二电极之间。

可选地，所述有机发光二极管显示器还包括氧化硅层，所述氧化硅层与每个像素电路中的所述半导体氧化物沟道重叠并且所述氧化硅层在每个像素电路的所述存储电容器中局部移除，使得没有所述氧化硅层插入所述存储电容器的所述第一电极和所述第二电极之间。

可选地，所述有机发光二极管显示器还包括从所述有效区域向所述无效区域延伸的数据线，其中所述电介质层具有当从所述有效区域向所述无效区域过渡时在高度上减小的阶梯式外形，并且其中所述数据线在具有所述阶梯式外形的所述电介质层上形成。

可选地，每个像素电路中的所述半导体氧化物晶体管包括驱动晶体管，并且其中每个像素电路中的所述硅晶体管包括开关晶体管。

根据本公开的另一方面，提供一种有机发光二极管显示器，包括：有机发光二极管阵列；各自与所述有机发光二极管中的相应的一个有机发光二极管串联耦接的硅驱动晶体管；和耦接至所述硅晶体管的半导体氧化物开关晶体管。

可选地，所述半导体氧化物开关晶体管各自具有半导体氧化物沟道，所述有机发光二极管显示器还包括与所述硅驱动晶体管重叠并且不与所述半导体氧化物沟道重叠的氮化硅层。

可选地，所述有机发光二极管显示器还包括：耦接至所述半导体氧化物开关晶体管的存储电容器；和与所述半导体氧化物沟道重叠并且不与所述存储电容器重叠的氧化硅层。