[实用新型]一种移动通信中频拉远系统射频发射机芯片结构有效

专利信息
申请号: 201420640698.9 申请日: 2014-10-30
公开(公告)号: CN204145467U 公开(公告)日: 2015-02-04
发明(设计)人: 万佳;赵新强;李栋;谢李萍;张锐 申请(专利权)人: 北京爱洁隆技术有限公司;万佳
主分类号: H04B1/04 分类号: H04B1/04
代理公司: 北京中海智圣知识产权代理有限公司 11282 代理人: 徐金伟
地址: 100176 北京市大兴区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 移动 通信 中频 系统 射频 发射机 芯片 结构
【权利要求书】:

1.一种移动通信中频拉远系统射频发射机芯片结构,其特征在于,包括可变增益衰减器、低噪声放大器、混频器、功率放大器、第一外置负载和第二外置负载,所述可变增益衰减器与低噪声放大器连接,所述第一外置负载与低噪声放大器的输出端口连接;所述第一外置负载与混频器的输入端口连接,混频器的输出端口与第二外置负载连接;所述第二外置负载与功率放大器的输入端口连接;还包括与混频器连接的频率综合器。

2.根据权利要求1所述的一种移动通信中频拉远系统射频发射机芯片结构,其特征在于,可变增益衰减器的输入端口为中频信号输入端口,低噪声放大器的输出端口为中频信号输出端口,混频器设有信号输入负端口、信号输入正端口、信号输出负端口及信号输出正端口;功率放大器的输入端口为射频信号输入端口,其输出端口为放大信号输出端口。

3.根据权利要求1所述的一种移动通信中频拉远系统射频发射机芯片结构,其特征在于,所述芯片结构设有SPI寄存器,所述SPI寄存器分别与可变增益衰减器、频率综合器连接。

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