[实用新型]一种太阳能电池有效
| 申请号： | 201420643718.8 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN204424266U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 童锐;张小刚;储凤舞;杨大谊 | 申请（专利权）人： | 太极能源科技（昆山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 215333 江苏省苏州市昆山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池，包括：
第一类型半导体衬底；
第二类型掺杂层，形成于所述第一类型半导体衬底表面；
减反射膜，形成于所述第二类型掺杂层表面；
上电极，形成于所述减反射膜表面；
下电极，形成于所述第一类型半导体衬底背面；
其特征在于：
所述减反射膜由采用管式镀膜机形成的第一氮化硅层及采用平板镀膜机形成的第二氮化硅层叠加而成。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述第二类型掺杂层与所述减反射膜之间还形成有一二氧化硅层。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：所述二氧化硅层的厚度范围是1～5nm。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：所述减反射膜与所述上电极之间还形成有一氮氧化硅层。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于：所述氮氧化硅层的厚度范围是10～20nm，折射率为1.4～2.0。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于：所述二氧化硅层、减反射膜及氮氧化硅层的总厚度为70～100nm，总折射率范围为2.00～2.15。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述第二氮化硅层的折射率小于所述第一氮化硅层的折射率。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述第一氮化硅层的厚度范围是30～40nm，折射率范围是2.14～2.21；所述第二氮化硅层的厚度范围是30～40nm，折射率范围是2.06～2.09。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
