[实用新型]一种多层膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201420644509.5 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN204243051U | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 童锐;储凤舞;张小刚;杨大谊 | 申请（专利权）人： | 太极能源科技（昆山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 215333 江苏省苏州市昆山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层 太阳能电池 | ||
1.一种多层膜太阳能电池，包括：
第一类型半导体衬底；
第二类型掺杂层，形成于所述第一类型半导体衬底表面；
减反射膜，形成于所述第二类型掺杂层表面；
上电极，形成于所述减反射膜表面；
下电极，形成于所述第一类型半导体衬底背面；
其特征在于：
所述减反射膜由氮化硅复合层及形成于所述氮化硅复合层上的二氧化硅薄膜叠加而成，所述氮化硅复合层由至少三层氮化硅薄膜叠加而成。
2.根据权利要求1所述的多层膜太阳能电池，其特征在于：所述氮化硅复合层包括3～10层氮化硅薄膜。
3.根据权利要求1所述的多层膜太阳能电池，其特征在于：所述氮化硅复合层中，各氮化硅薄膜的折射率自下而上依次减小。
4.根据权利要求3所述的多层膜太阳能电池，其特征在于：所述氮化硅薄膜的折射率范围是1.4～2.25。
5.根据权利要求1所述的多层膜太阳能电池，其特征在于：所述氮化硅复合层中，底层的氮化硅薄膜厚度小于顶层的氮化硅薄膜厚度。
6.根据权利要求5所述的多层膜太阳能电池，其特征在于：所述氮化硅薄膜的厚度范围是10～50nm。
7.根据权利要求1所述的多层膜太阳能电池，其特征在于：所述二氧化硅薄膜的厚度范围是5～10nm。
8.根据权利要求1所述的多层膜太阳能电池，其特征在于：所述二氧化硅薄膜的折射率范围为1.4～1.5。
9.根据权利要求1所述的多层膜太阳能电池，其特征在于：所述下电极的材料为铝，所述上电极的材料为银。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
