[实用新型]一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池有效

申请号：	201420650780.X	申请日：	2014-11-04
公开（公告）号：	CN204144271U	公开（公告）日：	2015-02-04
发明（设计）人：	李愿杰;廖亚琴;黄添懋;江瑜	申请（专利权）人：	中国东方电气集团有限公司
主分类号：	H01L31/0216	分类号：	H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
代理公司：	成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211	代理人：	张新
地址：	610036 四***	国省代码：	四川;51
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摘要：
搜索关键词：	一种具有背面钝化结构单晶硅太阳能电池
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【权利要求书】：

1.一种具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池，包括Si衬底，Si衬底的正面依次向外设置有N+层发射极（3）、SiNX减反层（2），基于N+层发射极（3）上还设置有穿透SiNX减反层（2）的正面银电极（1），其特征在于：在Si衬底的背面设置有背面钝化结构（5），该背面钝化结构（5）为叠层钝化介质层，叠层钝化介质层由内向外依次为Al₂O₃薄膜和SiO_xN_y薄膜。

2.根据权利要求1所述的具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述SiO_xN_y薄膜和Al₂O₃薄膜为均匀致密的薄膜材料。

3.根据权利要求1所述的具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述Al₂O₃薄膜，厚度范围5~20nm。

4.根据权利要求1所述的具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述SiO_xN_y薄膜的厚度范围20~50nm。

5.根据权利要求1所述的具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述背面钝化结构（5）属于背部表面钝化结构。

6.根据权利要求1所述的具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述背面钝化结构（5）外面为Al背场（6）。

7.根据权利要求6所述的具有背面钝化结构的单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述Si衬底的背面设置有穿透背面钝化结构（5）、Al背场（6）的背面银电极（7）。

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