[实用新型]一种用于高压直流的单相逆变器

权利要求书

1. 一种用于高压直流的单相逆变器，包括防反保护电路、降压模块、用于直流变交流的开关电路以及控制开关电路工作的控制电路；防反保护电路的输入端接高压直流外部输入，输出端接降压模块的输入端和开关电路的直流输入端，降压模块的输出端接控制电路的电源输入端，控制电路的控制信号输出端接开关电路的控制信号输入端；所述开关电路包括四个采用桥式连接结构的半导体开关器件；控制电路输出至少一路用于驱动开关电路中开关器件导通或断开的PWM信号。

2. 根据权利要求1所述的用于高压直流的单相逆变器，其特征在于，所述防反保护电路包括一个整流桥D7，所述降压模块包括DC-DC降压芯片U2；两路高压直流外部输入分别接整流桥D7的两个输入端，整流桥D7正、负输出端分别接DC-DC降压芯片U2的两个输入端，整流桥D7的正、负输出端之间连接电容C3，降压芯片U2的正输出端经电阻R13输出低压直流电，负输出端接GND，降压芯片U2的负输出端与电阻R13输出低压直流电的一端之间连接电容C4。

3. 根据权利要求1所述的用于高压直流的单相逆变器，其特征在于，所述开关电路包括四个场效应管Q1-Q4，场效应管Q1漏极接防反保护电路的正输出端，源极接第一交流输出端，栅极经电阻R2、电阻R1、二极管D1接降压模块的正输出端，三极管Q5集电极接电阻R1和R2之间，发射极接GND，基极经电阻R4接GND，并经电阻R3、电阻R5接降压模块正输出端；电容C1阳极接二极管D1和电阻R1之间，阴极接场效应管Q1源极；二极管D2阳极接场效应管Q1源极，阴极接场效应管Q1栅极；场效应管Q2漏极接第一交流输出端，源极接GND，栅极接二极管D3阳极。

4. 根据权利要求3所述的用于高压直流的单相逆变器，其特征在于，场效应管Q3漏极接防反保护电路正输出端，源极接第二交流输出端，栅极经电阻R8、电阻R7、二极管D4接降压模块正输出端；三极管Q6集电极接电阻R7和R8之间，发射极接GND，基极经电阻R10接GND，并经电阻R9、电阻R11接降压模块的正输出端；电容C2阳极接二极管D4和电阻R7之间，阴极接场效应管Q3源极；二极管D5阳极接场效应管Q3源极，阴极接场效应管Q3栅极；场效应管Q4漏极接第二交流输出端，源极接GND，栅极接二极管D6阳极。

5. 根据权利要求4所述的用于高压直流的单相逆变器，其特征在于，第一控制信号输入端接电阻R9与R11之间和二极管D6阳极，并经电阻R12接场效应管Q4栅极；第二控制信号输入端接电阻R3与R5之间和二极管D3阳极，并经电阻R6接场效应管Q2栅极。

6. 根据权利要求1所述的用于高压直流的单相逆变器，其特征在于，所诉控制电路包括一个PWM控制芯片U1，PWM控制芯片U1的电源输入引脚Vcc接降压模块的正输出端，PWM信号输出引脚CS1接开关电路的第一控制信号输入端，PWM信号输出引脚CS2接开关电路的第二控制信号输入端。

7. 根据权利要求6所述的用于高压直流的单相逆变器，其特征在于，所述PWM控制芯片U1选用TL494C芯片。

8. 根据权利要求7所述的用于高压直流的单相逆变器，其特征在于，电阻R14的一端接整流桥D7的正输出端，另一端经电阻R5接GND；二极管D8阴极接整流桥D7的正输出端，阳极接电阻R14和电阻R15之间；电容C6正端接二极管D8阳极，负端接GND；电阻R17一端接二极管D8阳极，另一端接控制芯片U1的第一负输入引脚1IN-；电阻R16一端接电容C6负端，另一端接控制芯片U1的DTC引脚和电容C6正端；接控制芯片U1的DTC引脚与CS1引脚之间连接有电容C8，与CS2引脚之间连接有电容C9；控制芯片U1的RT引脚经电阻R18接GND；控制芯片U1的CT引脚经电容C7接GND；控制芯片U1第一负输入引脚1IN-、第二负输入引脚2IN-、Verf引脚、Ctrl引脚相互连接；控制芯片U1的第一正输入引脚1IN+、第二正输入引脚2IN+接GND。

9. 根据权利要求1所述的用于高压直流的单相逆变器，其特征在于，所述防反保护电路包括至少一个二极管或至少一个整流桥。