[实用新型]太阳能光伏电池板有效
申请号: | 201420655126.8 | 申请日: | 2014-11-05 |
公开(公告)号: | CN204144324U | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 崔梅杰 | 申请(专利权)人: | 中辰未来(北京)科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 侯蔚寰 |
地址: | 100176 北京市东城区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 电池板 | ||
技术领域
本实用新型属于节能环保领域,具体的说涉及一种太阳能光伏电池板。
背景技术
现有的薄膜太阳能光伏电池板,包括铜铟镓硒( CIGS)薄膜光伏太阳能光伏电池板,材料成本比一般晶体硅太阳能光伏电池板要低,但某些薄膜生产结构过于复杂,使总制造成本较高,无法商品化。
到目前为止,一般薄膜太阳能制造厂家的生产成本,尚未能低于煤油发电的生产成本,阻碍薄膜太阳能进入商品化生产;而平均转换率方面,也只能接近晶体硅,或略略低于晶体硅 ,有待进一步提高。
一般钙钛矿太阳能光伏电池板,使用几百钠米,有或无介孔支架的吸收层,夹心在电子(ETL)及孔穴(HTL)传递层;当吸收层采钠到光子时,吸收层载体传送电荷及孔穴至正负电极的两个端头;要加大转换效率,需正确处理好载体经过的每个界面,按能量下滑功能函数,优化每个界面层,包括:透明前电极层,二氧化钛支架层,钙钛矿吸收层,及透明螺二甲氧基苯基孔穴传送层等。
有关孔穴传送层(HTL),由于此材料昂贵,并严重影响电池的寿命,我们另一种做法是除掉一般介孔甲胺碘铅(mesoscopic CH3NH3PbI3/TiO2)钙钛矿太阳能光伏电池板常用的孔穴传送层(HTL),这里我们使用甲胺碘(CH3NH3I)和二化碘铅(PbI2)溶液沉积在二氧化钛(TiO2)支架层;使甲胺碘铅钙钛层(CH3NH3PbI3)同时有光子吸收及孔穴传递两种功能。
实用新型内容
针对现有技术中的不足,本实用新型要解决的技术问题在于提供了一种太阳能光伏电池板。
为解决上述技术问题,本实用新型通过以下方案来实现:
一种太阳能光伏电池板,其特征在于,它分为上下两层,其中上层为钙钛矿层,所述钙钛矿层由上透明导电层、钙钛矿吸收层、下透明导电层组成;下层为铜铟镓硒层,所述铜铟镓硒层由氧化锌掺铝导电层、氧化锌层、硫化镉薄膜层、铜铟镓硒吸收层、钼导电层、钠钙玻璃基层组成,所述钙钛矿层与铜铟镓硒层两个节层重叠,中间设置有透明绝缘层,所述钠钙玻璃基层的厚度在 1~4mm 之间,所述钼导电层为钼薄膜,所述铜铟镓硒吸收层为 1.0 微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜,所述硫化镉层采用 0.05 微米厚的硫化镉层,所述氧化锌层为0.1微米厚的绝缘层,所述氧化锌掺铝导电层为0.35 微米厚的导电透明层,在其上表面设置有0.05微米厚的第一镍层,用于加强表面层导电率的导电网格,所述第一镍层上表面设置有 3.0 微米厚的铝膜层,该铝膜层为最上一层的导电网格,在其上表面覆有 0.05 微米厚的第二镍层,该第二镍层用于保护铝膜层,所述第二镍层上设置有3.2 毫米标准厚度的钠钙覆盖玻璃层。
有益效果:
本实用新型采用“X”光荧光分析仪来查看铜铟镓硒四元素的原子百分比,在约 250°C溅射镀膜后,靶材和薄膜里的四元素成分几乎没有什么变化。同时,铜铟镓硒四元素原子成分,正符合最优化的“alpha相”所需的成分。使用低温溅射,不会使硒流失,并能促进玻璃基板放气,促进薄膜间的粘合度,并启动铜铟镓硒晶体的生长。
本实用新型的太阳能光伏电池板能加宽光谱的吸收,使穿过上层薄膜钙钛矿层而未被吸收的光子,能在下层薄膜铜铟镓硒继续被吸收,转换率能超过30%,因此,在使用上,比传统的钙钛矿、铜铟镓硒太阳能光伏电池板更具有创新性,使穿过上层薄膜钙钛矿层而未被吸收的光子,能在下层薄膜铜铟镓硒继续被吸收,转换率能超过30%,并具有适合批量生产,高转换率等优点。
附图说明
图1为本实用新型太阳能光伏电池板结构示意图。
图2为本实用新型铜铟镓硒层横截面示意图。
附图中标记:上层的钙钛矿层1;下层的铜铟镓硒层2;上透明导电层3;钙钛矿吸收层4;下透明导电层5;氧化锌掺铝导电层6;氧化锌层7;硫化镉薄膜层8;铜铟镓硒吸收层9;钼导电层10;钠钙玻璃基层11;第一镍层12;铝膜层13;第二镍层14;钠钙覆盖玻璃层15。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型的技术方案进行详细的阐述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择