[实用新型]自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路有效
| 申请号： | 201420658234.0 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN204168242U | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 默立冬;方家兴;蔡道民;王绍东;汪江涛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F1/02;H03F3/20 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 自适应 双极型 晶体管 功率放大器 线性 偏置 电路 | ||
1.一种自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路，其特征在于：所述偏置电路的电源输入端经电阻Rbias0分为四路，第一路与晶体管QA1的基极连接，第二路与晶体管QA2的集电极连接，第三路经电容Cin接地，第四路与晶体管QB1的基极连接；晶体管QA1-QA2的集电极接VCC，晶体管QA1的发射极经电阻RA1接晶体管QA2的基极，晶体管QA2的发射极接地，晶体管QB1的发射极电流经电阻Rp后分别输出给一个以上的射频功率放大管支路，电容Cp和电阻Rp1串联后与电阻Rp并联，每个射频功率放大管支路包括一个电阻Rbiasn和一个射频功率放大管QRFn，电阻Rbiasn的一端接电阻Rp与电阻Rp1的结点，电阻Rbiasn的另一端接射频功率放大管QRFn的基极，射频功率放大管QRFn的发射极接地，其中n为自然数。
2.根据权利要求1所述的自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路，其特征在于：所述电路还包括电阻Rp20-Rp21以及电阻Rp30-Rp33，所述电阻Rp、电阻Rp20和电阻Rp30串联连接，电阻Rp21与电阻Rp20并联，电阻Rp31-Rp33分别与电阻Rp30并联，电阻Rp30的悬空端分别与射频功率放大管支路上的电阻Rbiasn的悬空端连接。
3.根据权利要求1所述的自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路，其特征在于：所述晶体管QA1、QA2、QB1的面积比为1:1:2-6，所述电阻RP的阻值Rp=RA1/射频功率放大管支路的个数。
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