[实用新型]VGF锗单晶生长炉芯模具有效

专利信息
申请号: 201420661118.4 申请日: 2014-11-07
公开(公告)号: CN204125561U 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 董汝昆;李武芳;祝永成;包文臻;高云浩;金之生;王朝思 申请(专利权)人: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B29/08
代理公司: 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 代理人: 董昆生
地址: 650503 云南省昆明市*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: vgf 锗单晶 生长 模具
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种模具,尤其是一种用于VGF锗单晶生长过程中,简化炉芯制作过程,便于固定测温热偶位置的VGF锗单晶生长炉芯模具。

背景技术

VGF法是利用坩埚作为容器,在低真空环境下,通过精确控温,通过化料、熔晶再使用垂直梯度凝固法进行晶体生长的一种方法,最初的VGF法是80年代初用于生长半导体材料GaAs单晶的方法。人们成功地用VGF法生长出GaAs单晶,并对其生长工艺进行了深入研究,并用VGF法生长出了大直径掺磷锗单晶。

在VGF方法中,炉芯是晶体生长支撑系统的一部分,主要是用来放置测温热偶、散热,在锗单晶生长中籽晶熔接也在炉芯中进行。炉芯的均匀程度对热场、炉芯内部两侧测温热偶的位置对于籽晶熔接都有直接影响。因此,一个炉芯制作的均匀与否直接关系到锗单晶生长时晶体的合格率。

在制作炉芯的过程中,通常先将湿棉用铁管压平,切成要求的尺寸,然后在湿棉刷上高铝水泥,之后将湿棉卷成棒型然后烘烤炉中进行烘烤,之后在炉芯内部两侧插入测温热偶,并进行固定,即可使用。

然而在卷曲过程中,卷曲的压力不好控制,用力过大则会导致成型后的炉芯呈椭圆状,导致不能使用,用力过小则导致卷曲后的炉芯结构松散,容易在烘烤过程中解体;而且插入的测温热偶位置不好判定,不能准确的对称插入,导致后期测温不准确,影响炉芯正常使用。

发明内容

本实用新型所要解决的就是目前VGF锗单晶生长过程中,炉芯制作不便,影响炉芯正常使用的问题,提供一种简化炉芯制作过程,便于固定测温热偶位置的VGF锗单晶生长炉芯模具。

本实用新型的VGF锗单晶生长炉芯模具,其特征在于该模具包括底座和连杆,底座与连杆均为圆柱体,连杆的横截面直径小于底座的横截面直径,连杆设置在底座顶部且与底座保持同轴,底座两侧壁上均设置有凹槽,凹槽为两个,对称设置在底座两侧壁上。

所述的连杆长度不大于底座长度。

将湿棉压平切成要求的尺寸、刷上高铝水泥后,将炉芯模具放置在湿棉上,将湿棉绕模具卷起一部分,然后把两根测温热偶放置在底座的凹槽内,之后把湿棉卷起完毕,放入烘烤炉烘烤,最后待湿棉冷却后将模具抽出,即可完成炉芯的制作。

本实用新型的VGF锗单晶生长炉芯模具,设计科学,结构简单,使用方便,简化了炉芯的制作过程,测温热偶位置放置准确,提高炉芯的制作效率与成功率。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

其中,底座1,凹槽2,连杆3。

具体实施方式

实施例1:一种VGF锗单晶生长炉芯模具,其特征在于该模具包括底座1和连杆3,底座1与连杆3均为圆柱体,连杆3的横截面直径小于底座1的横截面直径,连杆3设置在底座1顶部且与底座1保持同轴,底座1两侧壁上均设置有凹槽2,凹槽2为两个,对称设置在底座1两侧壁上。连杆3长度不大于底座1长度。

将湿棉压平切成要求的尺寸、刷上高铝水泥后,将炉芯模具放置在湿棉上,将湿棉绕模具卷起一部分,然后把两根测温热偶放置在底座1的凹槽2内,之后把湿棉卷起完毕,放入烘烤炉烘烤,最后待湿棉冷却后将模具抽出,即可完成炉芯的制作。

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