[实用新型]单晶生长装料用双层坩埚

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种装料装置，尤其是一种通过提高坩埚高度，提高生产效率的单晶生长装料用双层坩埚。

背景技术

VGF法是利用坩埚作为容器，在低真空环境下，通过精确控温，通过化料、熔晶再使用垂直梯度凝固法进行晶体生长的一种方法，最初的VGF法是80年代初用于生长半导体材料GaAs单晶的方法。人们成功地用VGF法生长出GaAs单晶,并对其生长工艺进行了深入研究，并用VGF法生长出了大直径掺磷锗单晶。

在VGF方法中，受到现有工艺的限制，导致坩埚体积较小，由于相同重量的区熔锗锭的固液体积相差5%左右，使用长度为200mm的坩埚，如果只是用一层坩埚，每次只能装下7—8Kg的固体区熔锗锭，在相同的生产条件下，如电费、人工等成本一定的情况下，不利于企业提高生产效率，降低生产成本，严重制约了企业的利润。

发明内容

本实用新型所要解决的就是目前利用VGF法进行锗晶体生长过程中，受到工艺限制，坩埚体积较小，不利于企业提高生产效率，降低生产成本的问题，提供一种通过提高坩埚高度，提高生产效率的单晶生长装料用双层坩埚。

本实用新型的单晶生长装料用双层坩埚，其特征在于该双层坩埚包括石英管、上层坩埚、下层坩埚、中环以及石英封帽，上层坩埚与下层坩埚放置在石英管内，且上层坩埚设置在下层坩埚上方，中环放置在上层坩埚与下层坩埚之间，石英封帽设置在石英管顶部。

所述的中环通过加热方式粘结在石英管内壁上。

将区熔锗锭分别放入上层坩埚和下层坩埚内，同时加入其他掺杂物如高纯镓、三氧化二硼，然后将石英封帽盖在石英管顶部，然后对石英管进行抽真空，达到合适的真空后，依次把石英封帽、中环焊接，完成装料，之后再对石英管进行加热、恒温以及冷却等过程，区熔锗锭在下层坩埚内完成单晶生长。

本实用新型的单晶生长装料用双层坩埚，设计科学，结构简单，使用方便，将现有工艺中使用的单层坩埚变为双层坩埚，将原有每次7-8Kg的加工量提高到10Kg以上，提高了单位时间内的加工效率，有利于企业提高产能，降低单位成本，提高利润。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

其中，石英管1，上层坩埚2，下层坩埚3，中环4，石英封帽5。

具体实施方式

实施例1：一种单晶生长装料用双层坩埚，包括石英管1、上层坩埚2、下层坩埚3、中环4以及石英封帽5，上层坩埚2与下层坩埚3放置在石英管1内，且上层坩埚2设置在下层坩埚3上方，中环4放置在上层坩埚2与下层坩埚3之间，石英封帽5设置在石英管1顶部。中环4通过加热方式粘结在石英管1内壁上。

将区熔锗锭分别放入上层坩埚2和下层坩埚3内，同时加入其他掺杂物如高纯镓、三氧化二硼，然后将石英封帽5盖在石英管1顶部，然后对石英管1进行抽真空，达到合适的真空后，依次把石英封帽5、中环4焊接，完成装料，之后再对石英管1进行加热、恒温以及冷却等过程，区熔锗锭在下层坩埚3内完成单晶生长。