[实用新型]一种基于LTCC高密度热流的散热腔体

说明书

技术领域

本实用新型涉及散热腔体，特别是一种基于LTCC高密度热流的散热腔体。

背景技术

任何电子器件在工作时都有一定的损耗，大部分的损耗变成热量。小功率器件损耗小，无需散热装置，而大功率器件损耗大，若不采取散热措施，则器件的温度可达到或超过允许的结温，器件将受到损坏,因此必须加散热装置。最常用的是采用高导热率的材料作为腔体，但是往往导热率高的材料，热应力比较大，难以满足电子设备低热应力，高导热率的要求。

T/R 组件是相控阵雷达的核心部件, 是实现和保证雷达整机性能的关键所在。T/R 封装材料往往追求材料的热膨胀系数(CTE)要与芯片材料如Si、砷化镓(GaAs)以及陶瓷基板材料如Al₂O₃、BeO等相匹配, 在(3～7)×10-6℃-1之间, 以避免芯片的热应力损坏。随着电子晶片不断向高性能、高速度和高集成度的方向发展, 电子元件的发热量及相对热流量越来越高, 散热问题逐渐成为T/R组件首先要解决的关键技术之一, 直接影响到组件的可靠性和寿命。选择一种合理的结构材料成为T/R 组件结构设计的关键部分。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种导热率高和热应力低的基于LTCC高密度热流的散热腔体，使可伐腔体与钨铜块结合成一体，既保证了可伐腔体与陶瓷基片相近的膨胀系数，不会引起热应力损坏，又保证了芯片在钨铜块上的散热良好。

本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，它包括可伐腔体、镶块、芯片和陶瓷基片，镶块通过锡焊镶嵌于可伐腔体的底部，芯片设置于镶块上方，陶瓷基片烧结于镶块一侧的可伐腔体底部，芯片与陶瓷基片通过金丝键合。

所述的镶块为高导热材料制成。

所述的镶块为钨铜块，芯片烧结于钨铜块上。

本实用新型具有以下优点：本实用新型使可伐腔体与钨铜块结合成一体，既保证了可伐腔体与陶瓷基片相近的膨胀系数，不会引起热应力损坏，又保证了芯片在钨铜块上的散热良好。

附图说明

图1 为本实用新型的结构示意图；

图中：1-可伐腔体，2-镶块，3-芯片，4-陶瓷基片，5-金丝。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步的描述，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。

如图1所示，一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，它包括可伐腔体1、镶块2、芯片3和陶瓷基片4，镶块2通过锡焊镶嵌于可伐腔体1的底部，芯片3设置于镶块2上方，陶瓷基片4烧结于镶块2一侧的可伐腔体1底部，芯片3与陶瓷基片4通过金丝5键合。

所述的镶块2为高导热材料制成。

所述的镶块2为钨铜块，芯片烧结于钨铜块上。

本实用新型的工作过程如下：钨铜块采用锡焊的方式镶嵌在可伐腔体1的底部，陶瓷基片4与可伐腔体1烧结，芯片3烧结在钨铜块上，可伐腔体1与钨铜块结合成一体，既保证了可伐腔体1与陶瓷基片4相近的膨胀系数，不会引起热应力损坏，又保证了芯片3在钨铜块上的散热良好。