[实用新型]一种用于大口径平行束离子源的磁场装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于离子源的磁场装置，特别是一种用于大口径平行束离子源的磁场装置。

背景技术

离子束刻蚀是利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击，将基片表面未覆盖掩膜的部分溅射出，从而达到选择刻蚀的目的。离子束刻蚀是纯物理刻蚀过程，在各种常规刻蚀方法中具有分辨率最高、陡直性最好的特点，并且可以对绝大部分材料进行刻蚀，例如：金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等材料。平行束离子源要求放电室内磁场为径向，传统离子源将磁场装置安装在放电室内，磁场面积小于放电区域截面积，从而磁场边缘区域磁力线方向为倾斜方向，不能完全为径向，最终影响周边位置束流均匀性。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是，针对现有技术不足，提供一种用于大口径平行束离子源的磁场装置，提高离子源放电室内磁场的均匀性，从而提高离子束均匀性。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种用于大口径平行束离子源的磁场装置，包括安装板，所述安装板中部设有一圆形区域，该圆形区域内开设有若干平行于径向的圆槽，每个所述圆槽内均设置有至少一根磁棒；两个相邻所述圆槽之间的安装板区域为放电区域，且所述放电区域的总面积小于所述磁棒占用的总面积；所述圆形区域外的安装板上设置有多根位于同一圆周上的导磁棒，且所述多根导磁棒分别与相应圆槽内的磁棒位置一一对应。

与现有技术相比，本实用新型所具有的有益效果为：本实用新型可提高离子源放电室内的磁场均匀性，确保放电室内磁场方向一致，从而提高离子源离子束的均匀性要求。

附图说明

图1为本实用新型一实施例三维效果图；

图2为本实用新型一实施例磁棒与导磁棒分布示意图；

图3为本实用新型一实施例单排磁棒与导磁棒分布示意图。

具体实施方式

如图1和图2所示，本实用新型一实施例包括安装板1，所述安装板1中部设有一圆形区域，该圆形区域内开设有若干平行于径向的圆槽11，每个所述圆槽11内均设置有至少一根磁棒2；两个相邻所述圆槽11之间的安装板1区域为放电区域21，且所述放电区域21的总面积小于所述磁棒2占用的总面积；所述圆形区域外的安装板1上设置有多根位于同一圆周上的导磁棒3，且所述多根导磁棒3分别与相应圆槽11内的磁棒2位置一一对应。

图1和图2中的圆槽11内均安装有多根磁棒2。同一圆槽11内的相邻磁棒2采用非导磁材料隔离，磁棒2分布越密则放电室内磁场越强。磁棒2分布区域大于离子源放电区域面积21。

导磁棒3一般为纯铁，也可以直接采用永磁体。若干导磁棒3分布于离子源放电室外同一圆周上，各导磁棒3的位置与磁棒2安装圆槽11对应。

如图3所示，安装板1上的每个圆槽11内磁棒磁场方向相同，也可以采用一根整体长磁棒放置在圆槽11内，经过圆槽两端位置导磁棒3的引导，在两端的导磁棒3之间形成单一方向的磁场，最终在放电室内形成平行磁场。