[实用新型]一种使用 SiC 衬底的氮化物 LED 外延结构

权利要求书

1.一种使用SiC衬底的氮化物LED外延结构，其特征在于：包括SiC衬底、二维衍生膜及氮化物外延层，所述二维衍生膜位于所述SiC衬底及所述氮化物外延层之间，且所述二维衍生膜附着在所述SiC衬底的表面上，所述氮化物外延层附着在所述二维衍生膜上；其中，所述二维衍生膜由一层或两层以上的二维纳米片材料制成，所述二维纳米片材料包括石墨烯、硅烯、六方氮化硼和三碳化硼中的任意一种或两种以上的组合。

2.根据权利要求1所述的使用SiC衬底的氮化物LED外延结构，其特征在于：所述二维衍生膜的原子呈六角蜂窝状排布。

3.根据权利要求1或2所述的使用SiC衬底的氮化物LED外延结构，其特征在于：所述氮化物外延层由n型电子注入层、有源层和p型空穴注入层构成，所述n型电子注入层附着在所述二维衍生膜上，所述n型电子注入层、有源层和p型空穴注入层依次相连接。

4.根据权利要求3所述的使用SiC衬底的氮化物LED外延结构，其特征在于：所述n型电子注入层的厚度为0.1～20μm；所述有源层的厚度为1～2000nm；所述p型空穴注入层的厚度为0.05～5μm。

5.根据权利要求4所述的使用SiC衬底的氮化物LED外延结构，其特征在于：所述n型电子注入层包括一个以上的n型子层，所述n型子层由氮化物Al_xIn_yGa_1-x-yN中的至少一种构成，其中，0≤x,y≤1；x+y≤1。

6.根据权利要求5所述的使用SiC衬底的氮化物LED外延结构，其特征在于：每个所述n型子层分别进行n型掺杂，且n型掺杂的掺杂浓度相同或不同，所述n型掺杂中掺杂的元素为Si、Sn、S、Se和Te中的至少一种。

7.根据权利要求4所述的使用SiC衬底的氮化物LED外延结构，其特征在于：所述有源层包括一个以上的薄膜子层，所述薄膜子层由氮化物 Al_xIn_yGa_1-x-yN中的至少一种构成，其中，0≤x,y≤1；x+y≤1。

8.根据权利要求7所述的使用SiC衬底的氮化物LED外延结构，其特征在于：每个所述薄膜子层分别进行n型掺杂、p型掺杂或非掺杂；所述n型掺杂中掺杂的元素为Si、Sn、S、Se或Te中的至少一种；所述p型掺杂中掺杂的元素为Be、Mg、Zn、Cd或C中的至少一种。

9.根据权利要求4所述的使用SiC衬底的氮化物LED外延结构，其特征在于：所述p型空穴注入层包括一个以上的p型子层，所述p型子层由氮化物Al_xIn_yGa_1-x-yN中的至少一种构成，其中，0≤x,y≤1；x+y≤1。

10.根据权利要求9所述的使用SiC衬底的氮化物LED外延结构，其特征在于：每个所述p型子层分别进行p型掺杂；每个所述p型子层的p型掺杂的掺杂浓度相同或不同；所述p型掺杂中掺杂的元素为Be、Mg、Zn、Cd或C中的至少一种。