[实用新型]液晶显示LED背光源动态调光装置有效

专利信息
申请号: 201420701106.X 申请日: 2014-11-21
公开(公告)号: CN204270639U 公开(公告)日: 2015-04-15
发明(设计)人: 宋义;定毛山;罗明;邹华德 申请(专利权)人: 东莞帝光电子科技实业有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G09G3/34
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人: 徐勋夫
地址: 523000 广东省东莞市清溪镇*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 液晶显示 led 背光源 动态 调光 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及背光源领域技术,尤其是指一种液晶显示LED背光源动态调光装置。

背景技术

背光源(Back Light)是位于液晶显示器(LCD)背后的一种光源,它的发光效果将直接影响到液晶显示模块(LCM)视觉效果。液晶显示器本身并不发光,它显示图形或字符是它对光线调制的结果。

目前的背光源均为LED背光源,由于LED长时间点亮为出现光衰减,为了保证背光源亮度,需要对背光源进行调光,然而,目前的背光源一般只能手动进行调光,不可自动进行调光,从而给使用带来不便。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型针对现有技术存在之缺失,其主要目的是提供一种液晶显示LED背光源动态调光装置,其能有效解决现有之背光源需要手动进行调光给使用带来不便的问题。

为实现上述目的,本实用新型采用如下之技术方案:

一种液晶显示LED背光源动态调光装置,包括有控制器、设定电路、补偿LED灯、光侦测电路以及调光电路,该设定电路、补偿LED灯、光侦测电路和调光电路均与控制器连接,该补偿LED灯和光侦测电路均位于LED背光源内;该调光电路包括有电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1、三极管Q1和电容C1;该电阻R1的一端连接PWM 脉冲信号源,电阻R1的另一端与电阻R3的一端分别连接三极管Q1的基极,该电阻R2的一端与三极管Q1的集电极分别连接三极管Q2的集电极,三极管Q1的发射极连接三极管Q2的基极,电阻R3的另一端、三极管Q2的发射极以及电容C1的一端接地,电阻R2另一端连接LED背光源负极,LED 背光源正极与电容C1另一端连接直流稳压电源V+。

作为一种优选方案,所述三极管Q1和三极管Q2均为NPN晶体管。

作为一种优选方案,所述电阻R1为2.2kΩ~47kΩ,该电阻R3为电阻R1阻值的3~5倍。

作为一种优选方案,所述电容C1为1μF~100μF。

作为一种优选方案,所述光侦测电路为光传感器。

本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果,具体而言,由上述技术方案可知:

通过利用设定电路对参数进行设定,利用光侦测电路对LED背光源进行亮度实时检测,并配合调光电路对LED背光源进行亮度调整,实现了自动的动态调光的目的,取代了手动调光,从而给使用带来便利,同时通过设置有补偿LED灯,可根据需要进行开启,实现LED背光源高亮度发光。

为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效,下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。

附图说明

图1是本实用新型之较佳实施例的电路结构示意图;

图2是本实用新型之较佳实施例中调光电路的结构示意图。

附图标识说明:

10、控制器                           20、设定电路

30、补偿LED灯                       40、光侦测电路

50、调光电路                         60、LED背光源。

具体实施方式

请参照图1和图2所示,其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构,包括有控制器10、设定电路20、补偿LED灯30、光侦测电路40以及调光电路50。

该设定电路20、补偿LED灯30、光侦测电路40和调光电路50均与控制器10连接,该设定电路20用于对亮度等各种参数进行设定,该补偿LED灯30和光侦测电路40均位于LED背光源60内,该补偿LED灯30用于根据需要进行开启,以进行光线补偿,该光侦测电路40用于感测LED背光源60的亮度,在本实施例中,该光侦测电路40为光传感器。

如图2所示,该调光电路50包括有电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1、三极管Q1和电容C1;该电阻R1的一端连接PWM 脉冲信号源,电阻R1的另一端与电阻R3的一端分别连接三极管Q1的基极,该电阻R2的一端与三极管Q1的集电极分别连接三极管Q2的集电极,三极管Q1的发射极连接三极管Q2的基极,电阻R3的另一端、三极管Q2的发射极以及电容C1的一端接地,电阻R2另一端连接LED 背光源60负极,LED 背光源60正极与电容C1另一端连接直流稳压电源V+。在本实施例中,该三极管Q1和三极管Q2均为NPN晶体管,该电阻R1为2.2kΩ~47kΩ,该电阻R3为电阻R1阻值的3~5倍,该电容C1为1μF~100μF。

详述本实施例的工作过程如下:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞帝光电子科技实业有限公司,未经东莞帝光电子科技实业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420701106.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top