[实用新型]一种晶硅太阳能电池有效
申请号: | 201420704188.3 | 申请日: | 2014-11-21 |
公开(公告)号: | CN204315581U | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 方结彬;秦崇德;石强;黄玉平;何达能 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
1.一种晶硅太阳能电池,包括背电极、背电场、硅片、发射极、减反膜和正电极,所述背电极、背电场、硅片、发射极、减反膜和正电极依次相连接,其特征在于,所述正电极包括主栅和副栅,所述副栅为非直线形状,所述主栅为直线形状;
所述硅片的扩散方阻值为110~150欧姆。
2.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池,其特征在于,所述硅片的扩散方阻值为120~140欧姆。
3.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池,其特征在于,所述非直线形状为波浪形、三角锯齿状或者矩形。
4.如权利要求3所述的晶硅太阳能电池,其特征在于,所述波浪形的曲线弧度为0~π。
5.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池,其特征在于,所述主栅的线条数为2-8条,线宽为1.0-1.4mm,主栅之间的间距为17.33-52mm;
所述副栅的线条数为50-100条,线宽为20-80μm,副栅之间的间距为1-4mm。
6.如权利要求5所述的晶硅太阳能电池,其特征在于,所述主栅的线条数为3,线宽为1.3mm,主栅之间的间距为50.7mm;
所述副栅的线条数为90,线宽为20μm,副栅之间的间距为1.722 mm。
7.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池,其特征在于,所述减反膜为氮化硅减反膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的