[实用新型]窄脉冲超声波高压发射电路有效
| 申请号： | 201420718359.8 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN204329915U | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 杨庆德;尹建华 | 申请（专利权）人： | 山东中科普锐检测技术有限公司 |
| 主分类号： | G01B15/02 | 分类号： | G01B15/02;H02M9/00 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 尉金洪 |
| 地址： | 261057 山东省潍坊市经*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 脉冲 超声波 高压 发射 电路 | ||
1.窄脉冲超声波高压发射电路，其特征在于：包括高压电容C23、高压充电电路、控制电路和阻抗匹配电路；
所述高压充电电路、控制电路的输出端分别与高压电容C23的一端连接；阻抗匹配电路的输入端与高压电容C23的另一端连接。
2.如权利要求1所述的窄脉冲超声波高压发射电路，其特征在于：所述高压充电电路用于对高压电容C23进行间歇式充电，在高压电容C23上产生高电压；
所述控制电路用于控制高压电容C23快速释放产生的高电压；
阻抗匹配电路用于将高压电容C23释放的高电压耦合至超声波探头。
3.如权利要求1或2所述的窄脉冲超声波高压发射电路，其特征在于：所述高压充电电路包括二极管V1、电感L1和N型场效应管 VQ1；
所述场效应管VQ1的D端接电感L1的一端、二极管V1的正极，二极管V1负极接高压电容C23的一端，场效应管VQ1的S端接信号地，电感L1的另一端接电源。
4.如权利要求3所述的窄脉冲超声波高压发射电路，其特征在于：所述高压充电电路还包括并联的电容C22、二极管V4和缓冲器芯片N1；
所述二极管V4的正极接场效应管VQ1的G端；二极管V4的负极接缓冲器芯片N1的输出端；缓冲器芯片N1的输入端用于耦接充电脉冲信号。
5.如权利要求4所述的窄脉冲超声波高压发射电路，其特征在于：所述高压充电电路还包括二极管V3、电阻R26；
所述二极管V3的负极接二极管V1的正极；二极管V3的正极接信号地；
所述阻R26连接在N型场效应管 VQ1的G端与信号地之间。
6.如权利要求1或2所述的窄脉冲超声波高压发射电路，其特征在于：所述控制电路包括三极管VQ2、场效应管VQ3、三极管VQ4；
所述场效应管VQ3的D端接高压电容C23的一端，场效应管VQ3的G端接三极管VQ2的集电极，三极管VQ2的基极接三极管VQ4的集电极，场效应管VQ3的S端接信号地。
7.如权利要求6所述的窄脉冲超声波高压发射电路，其特征在于：所述控制电路还包括齐纳二极管VZ1、齐纳二极管VZ2和缓冲器芯片N2；
所述齐纳二极管VZ1的正极接高压电容C23的一端，齐纳二极管VZ1的负极接三极管VQ2的发射极、齐纳二极管VZ2的正极；
所述三极管VQ2的基极耦接齐纳二极管VZ1的负极，齐纳二极管VZ2的负极耦接信号地，缓冲器芯片N2的输出端耦接三极管VQ4的基极，缓冲器芯片N2的输入端用于耦接发射脉冲信号EMIT。
8.如权利要求7所述的窄脉冲超声波高压发射电路，其特征在于：所述控制电路还包括电容C21、电阻R24；
所述电阻R24耦接在三极管VQ2的集电极与信号地之间。
9.如权利要求1或2所述的窄脉冲超声波高压发射电路，其特征在于：所述阻抗匹配电路包括二极管V2、电感L2、电阻R25、电阻R27；
所述二极管V2的负极接高压电容C23的另一端，二极管V2的正极经电感L2耦接超声波探头P0。
10.如权利要求9所述的窄脉冲超声波高压发射电路，其特征在于：所述阻抗匹配电路还包括所述电阻R25耦接在二极管V2的负极与信号地之间；电阻R27耦接在超声波探头P0与信号地之间。
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