[实用新型]一种ICP刻蚀机的圆形托盘

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种ICP刻蚀机，尤其涉及一种ICP刻蚀机的圆形托盘。

背景技术

所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。刻蚀最简单最常用分类是干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯物理过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀 RIE，离子束辅助自由基刻蚀 ICP 等。

与其它刻蚀技术相比，ICP 刻蚀技术结构简单、性价比高、装置的环径比更大、装置更小型化且操作简单。同时 ICP 源具有至少在直径 20cm 范围内的均匀性，可独立控制离子密度和离子能量，已成为目前较为理想的等离子体源。目前ICP 刻蚀技术广泛应用于微电子、LED 及光伏领域。

ICP刻蚀机主要由腔体、下电极和圆形托盘组成。现有的圆形托盘如图1所示。用于放置LED晶圆片的容置槽2呈环形排列在圆形托盘1上，容置槽个数共有27个。

实用新型内容

本实用新型解决的问题在于提供一种ICP刻蚀机的圆形托盘，在托盘直径大小不变的情况下增加用于放置LED晶圆片的容置槽。

为解决上述技术问题，本实用新型提出一种ICP刻蚀机的圆形托盘，其特征在于圆形托盘表面排列若干用于放置LED晶圆片的容置槽，所述容置槽直径相同，并且每个容置槽周围都有六个容置槽与其相切，呈最密堆积排列。

本实用新型的有益效果：

在托盘大小不变的情况下通过增加容置槽，增加了刻蚀LED晶圆片的数量，提高了生产效率。

附图说明

图1是现有技术的示意图。

图2是本实用新型的示意图。

图中标识说明：

圆形托盘1，容置槽2。

具体实施方式

实施例

本实施例的ICP刻蚀机的圆形托盘，见图2，其特征在于圆形托盘表面排列若干用于放置LED晶圆片的容置槽，所述容置槽直径相同，并且每个容置槽周围都有六个容置槽与其相切，呈最密堆积排列。容置槽从圆形托盘中心开始由内向外开始排列。每个容置槽周围都有六个容置槽与其相切，直至排满整个圆形托盘。容置槽个数为31个。

以上所述，仅是本实用新型的实施例而已，并非对本实用新型做任何形式上的限制，本领域技术人员利用上述揭示的技术内容做出些许简单修改、等同变化或修饰，均落在本实用新型的保护范围内。