[实用新型]一种适用于高阻扩散的太阳能电池密栅结构有效
申请号: | 201420731827.5 | 申请日: | 2014-11-27 |
公开(公告)号: | CN204230258U | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 徐世贵;王立建 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 214203 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 扩散 太阳能电池 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域,尤其涉及一种太阳能电池的密栅结构。
背景技术
太阳能电池片制造过程中,各道工序都有不同的作用及意义,其中丝网印刷是太阳能电池各工序中将光能转化为电能的极其重要的一道,直接影响到电池片的电性能及效率。目前市场上印刷类型的工艺虽然设计原理和结构都符合标准规定,但是作为印刷太阳能硅晶电池片的专有印刷工艺具有以下缺点:(1)传统印刷工艺采用疏栅,较少的栅线无法完全收集电流,导致提升电池片效率空间低;(2)疏栅电池片由于栅线少又宽,使得栅线实现的技术要求很低,从而栅线本身的质量状况也并不精细,直接影响电池片的外观质量;(3)疏栅电池片栅线较宽,增大电池片的遮光面积,会降低光能转化为电能的能力,同时印刷质量偏差,粗线较多。
所以,有必要提供一种新的栅线结构以克服现有技术的不足。
实用新型内容
本实用新型目的是提供一种焊接效果佳且能更好的匹配扩散高方阻工艺的太阳能电池密栅结构。
为了达上述目的,本实用新型提供一种适用于高阻扩散的太阳能电池密栅结构,该密栅结构包括若干条主栅以及与主栅垂直的若干条第一副栅;所述主栅包括主体部和位于主体部两端的针状头部,所述主栅上分段涂覆有金属电极,所述金属电极形状为椭圆形;所述第一副栅的宽度自边缘区域至中间区域呈线性递增;相邻两条主栅之间还设有平行于主栅的第二副栅。
进一步的,前述主栅的根数为2~6根,每条主栅分为6~10段涂覆金属电极。
进一步的,前述第一副栅的根数为80~120根,每条第一副栅宽度为25~60μm。
进一步的,前述主栅两端的针状头部具有较细的前部和较粗的后部,所述前部宽度为0.1~0.8mm,所述后部宽度为1~1.8mm,所述栅两端的针状头部的总长度为12~20mm。
进一步的,前述金属电极的椭圆长轴为6~12mm,椭圆短轴为1~1.8mm。
进一步的,前述第二副栅的根数为1~5根,宽度为25~60μm。
本实用新型的有益效果是:1)主栅具有尖针状的端部且分段涂覆金属电极有利于降低银浆的用量和电池片的焊接,节约了成本,为第一副栅根数的增加带来的更大的空间,同时金属电极椭圆状,有利于焊接时应力的释放,降低了焊接碎片率;2)垂直于主栅的第一副栅宽度自边缘到中间区域呈线性增加,有利于更好的匹配扩散高方阻工艺,因为扩散后硅片的中间区域方阻值基本较边缘区域高,对应的第一栅线宽度的增加有利于缓解串联电阻的升高;3)平行于主栅区域设计有第二副栅,有利于增加栅线收集电流的概率,同时有利于降低栅线断线的概率。
附图说明
图1为本实用新型适用于高阻扩散的太阳能电池密栅结构的示意图。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型适用于高阻扩散的太阳能电池密栅结构包括若干条主栅1以及与主栅1垂直的若干条第一副栅2;第一副栅2的宽度自边缘区域至中间区域线性递增;相邻两条主栅1之间设有平行于主栅的第二副栅5。
主栅1包括主体部和设于主体部两端的尖针状头部3,主栅1整体分段涂覆有金属电极4,金属电极4为椭圆形;主栅1的根数为3根,每条主栅1分为8段涂覆金属电极。主栅1的两端为针状3包括较细的前部和较粗的后部,前部宽度为0.1~0.8mm,后部宽度为1~1.8mm,针状头部的总长度为12~20mm。;主栅1的椭圆形金属电极4的长轴尺寸为8mm,短轴的尺寸为1.4mm。
第一副栅2的根数为100根,每条第一副栅宽度为45μm。第二副栅5的根数为2根,宽度为45μm。
本实用新型主栅具有尖针状的端部且分段涂覆金属电极有利于降低银浆的用量和电池片的焊接,节约了成本,为第一副栅根数的增加带来的更大的空间,同时金属电极椭圆状,有利于焊接时应力的释放,降低了焊接碎片率;垂直于主栅的第一副栅宽度自边缘到中间区域呈线性增加,有利于更好的匹配扩散高方阻工艺,因为扩散后硅片的中间区域方阻值较边缘区域高,对应的第一栅线宽度的增加有利于缓解串联电阻的升高;平行于主栅区域设计有第二副栅,有利于增加栅线收集电流的概率,同时有利于降低栅线断线的概率。
除上述实施例外,本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本实用新型要求的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的