[实用新型]一种用于RIE制绒后的链式清洗设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于RIE制绒后的链式清洗设备，用于晶体硅片的刻蚀和清洗，属于太阳能电池领域。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能是一种安全可靠、经济实惠且容易获得的绿色能源。因此，太阳能电池组件得到了越来越多的关注，而高转换效率、低成本是太阳能电池发展的主要趋势，也是技术研究者追求的目标。

为了获得更高的光电转换效率，除了要求晶体硅材料本身的高质量、能形成理想的PN结等内在特性外，还需要电池片表面有很好的陷光效果。陷光效应通常由表面织构化来实现的，即电池片生产中的重要工序——制绒。它通过增加电池对光的吸收，降低表面反射率，增大太阳能电池的短路电流从而达到提高太阳电池效率的目的。

现有技术中，晶体硅太阳电池的制绒通常是采用湿法化学腐蚀方法制备微米级绒面结构。但是，由于微米级绒面的陷光效果有限，为了进一步提高陷光效果，近几年基于反应离子刻蚀方法（RIE）制备纳米绒面的方法在产业化生产中得到了广泛应用。晶体硅RIE制绒主要是在常规湿法化学腐蚀工艺制绒后得到的粗糙绒面（微米级）上形成更为精细的绒面结构（纳米级），从而大大降低反射率，提高电池效率。如日本专利JP2014082430A公开了一种RIE制绒的多晶硅太阳电池制造工艺，其包括如下步骤：（1）化学腐蚀去除线切割损伤层；（2）RIE制绒；（3）RIE损伤层去除以及后清洗处理；（4）扩散；（5）刻蚀以及去除PSG；（6）PECVD；（7）丝网印刷以及烧结。其中，步骤（3）RIE损伤层去除以及后清洗处理是必须进行的，是为了给后续的扩散工艺打下基础。其中，去除RIE损伤层通才采用KOH溶液，而后清洗处理一般采用HF/HCL混合溶液；现有技术中，一般采用槽式清洗设备进行处理。

另一方面，随着技术的发展，研究人员发现，在硅片背面进行抛光处理可以提高电池的长波响应，为进一步提高光电转换效率奠定了必要的基础。因此，出现了一些专门用于背面抛光的清洗设备。

发明内容

本实用新型的发明目的是提供一种用于RIE制绒后的链式清洗设备。

为达到上述发明目的，本实用新型采用的技术方案是：一种用于RIE制绒后的链式清洗设备，包括机台支架、设于机台支架上的滚轮传动系统；

所述机台支架上按滚轮传动系统行进方向依次设有背面腐蚀抛光槽、去离子水清洗槽、RIE损伤层腐蚀去除槽、去离子水清洗槽、酸洗槽、去离子水清洗槽、去离子水清洗槽。

上文中，本实用新型将多个清洗槽串联起来，实现了背面腐蚀、RIE损伤层腐蚀去除、酸洗三种工艺集中在同一台链式设备中，因此大大方便了清洗工艺，提高了生产效率。

其中，关于滚轮传动系统和各个槽的位置属于现有技术，对于背面腐蚀抛光槽而言，滚轮传动系统的滚轮位于槽体之上沿，使得硅片浮于液面之上，避免硅片上表面浸入槽体内。对于RIE损伤层腐蚀去除槽、去离子水清洗槽以及酸洗槽而言，滚轮传动系统的滚轮位于槽体之内，使硅片浸入槽中的液体内进行清洗。

上述技术方案中，所述机台支架的上方还设有机台上罩。机台上罩的作用是防止化学气体的挥发，例如一些酸液的挥发。

上述技术方案中，所述机台支架的尾端还设有风刀。其起到吹干硅片的作用。所述风刀的英文名是dryer,中文译为干燥机或烘干机或吹风机，本领域的业内人士都称为风刀。

上述技术方案中，还设有控制系统，所述滚轮传动系统与控制系统控制连接。从而实现自动化。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1、本实用新型设计了一套专门用于RIE制绒后的链式清洗设备，将多个清洗槽串联起来，实现了背面腐蚀、RIE损伤层腐蚀去除、酸洗去除PSG三种工艺集中在同一台链式设备中，因此大大方便了清洗工艺，提高了生产效率；

2、本实用新型设计中的背面腐蚀抛光槽，一方面的作用是去除硅片背面残留的线切割损伤层；同时还起到提高电池长波响应的作用；

3、由于本实用新型将多个清洗工艺整合在一起，因此避免了现有技术中因多次搬运硅片而带来的硅片破损问题，减少了硅片损失，降低了企业成本；

4、本实用新型的结构简单，易于实现，适于推广应用。

附图说明

图1是本实用新型实施例一的结构示意图。

1、机台支架；2、机台上罩；3、背面腐蚀抛光槽；4、RIE损伤层腐蚀去除槽；5、酸洗槽；6、去离子水清洗槽；7、硅片；8、风刀；9、控制屏；10、滚轮传动系统。

具体实施方式