[实用新型]一种双面太阳电池结构有效
申请号: | 201420736362.2 | 申请日: | 2014-11-27 |
公开(公告)号: | CN204230255U | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 王立建 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 214203 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 太阳电池 结构 | ||
1.一种双面太阳电池结构,包括P型基体,P型基体上表面向上依次设有PN结、第一吸光面钝化层、以及第一吸光面电极,其特征在于:所述P型基体下表面向下依次设有P+层、第二吸收面钝化层和第二吸光面电极,所述第一吸光面钝化层从下至上依次为第一折射层、第二折射层和第三折射层,所述第一折射层贴合所述PN结,所述第二吸收面钝化层从上至下依次为第四折射层和第五折射层,所述第四折射层贴合所述P+层。
2.根据权利要求1所述的双面太阳电池结构,其特征在于:所述第一折射层为二氧化硅薄膜,厚度为1-5nm。
3.根据权利要求1所述的双面太阳电池结构,其特征在于:所述第二折射层为折射率2.05-2.15%的氮化硅薄膜,厚度为30-40nm。
4.根据权利要求1所述的双面太阳电池结构,其特征在于:所述第三折射层为折射率2.2-2.3%的氮化硅薄膜,厚度为20-50nm。
5.根据权利要求1所述的双面太阳电池结构,其特征在于:所述第四折射层为二氧化硅薄膜,厚度为10-30nm。
6.根据权利要求1所述的双面太阳电池结构,其特征在于:所述第五折射层为非晶硅薄膜,厚度为30-70nm.。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的