[实用新型]一种抗PID效应的电池组件有效
申请号: | 201420736807.7 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN204391130U | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 张军涛;蔡灯荣;徐俊红;孙帆;周锐敏 | 申请(专利权)人: | 中电电气(上海)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/049 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 赵继明 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pid 效应 电池 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光伏组件,尤其是涉及一种抗PID效应的电池组件。
背景技术
太阳能电池组件长期在高电压作用下使得玻璃、封装材料之间存在漏电流,大量电荷聚集在电池片表面,使得电池片表面的钝化效果恶化,导致FF、Isc、Voc降低,使组件性能低于设计标准,这种现象被称为组件PID效应。
目前,组件厂家抗PID效应的封装技术是通过采用Si/N比率高的减反射层电池片封装组件,以防止组件PID现象,而改变Si/N比率会大大增加电池片制成成本,电池片成本的提升直接转嫁到组件成本上,对组件制造商及用户都会造成严重的成本压力。
其次,在电池片生产中,若改变Si/N比率会对电池片的转换效率造成影响,而光伏市场目前对高效组件的需求已成主流,所以目前组件厂家的抗PID效应封装技术不利于高效电池片及高效组件的生产及市场化,该技术的推广存在很大的局限性和困难。
此外一些现有的抗PID光伏组件又仅仅是通过物理阻隔的方法组织玻璃中阳离子朝电池片移动,例如申请号为201320132923.3的中国专利公开了一种抗PID光伏组件,所述光伏组件由外向内依次由钢化玻璃层、乙烯基烯烃共聚物膜、电池片层、EVA胶膜和背板复合而成;所述乙烯基烯烃共聚物膜厚度为0.15~0.6mm,所述电池片层由多个单晶硅或多晶硅电池片串联而成,电池片厚度为140μm~200μm,所述EVA胶膜厚度为0.3~0.7mm。该专利采用的即是乙烯基烯烃共聚物膜来阻隔金属阳离子的移动。此种物理阻隔的方式会造成阳离子堆积,并不能源头上消除PID现象。
发明内容
本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种抗PID效应的电池组件。
本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现:
一种抗PID效应的电池组件,包括钢化玻璃层、电池片层、普通型EVA胶膜和背板,所述电池组件还包括抗PID型EVA胶膜和互联条,所述钢化玻璃层、抗PID型EVA胶膜、电池片层、普通型EVA胶膜和背板通过互联条依次层叠连接。
所述电池组件还包括汇流条,所述电池片层包括多个串联的电池片,所述多个电池片通过汇流条连接。
所述电池片之间设有隔离条片。
所述电池片层还包括用于粘结隔离条片和电池片的EVA盖条。
所述抗PID型EVA胶膜为醋酸乙烯酯含量为26%-28%的EVA胶膜。
所述抗PID型EVA胶膜为醋酸乙烯酯含量为27%的EVA胶膜。
与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:
1)推广方便:因该封装技术与现有组件生产线完全匹配,无需硬件改造及投入,故组件厂家可随时推广。
2)操作简单:只需在组件叠层工序,将该抗PID型EVA置放于玻璃压花面,依次叠放电池串、普通EVA、背板,进行层压、装框。
3)成本低:该抗PID型EVA的生产是通过调整EVA的VA含量及自身的绝缘性能来实现抗PID功能的,调整VA含量及自身绝缘性能只需改变EVA生产配方就能实现,故成本上无需增加,所以确保组件成本同样不发生变化。
4)抗PID型EVA胶膜中醋酸乙烯酯含量为26%-28%,比低普通的抗PID型胶膜低3-5%,具有更好的抗PID效果。
附图说明
图1为本实用新型的剖视示意图;
图2为本实用新型的正视示意图;
其中:1、钢化玻璃层,2、抗PID型EVA胶膜,3、电池片层,4、EVA盖条,5、隔离条,6、普通型EVA胶膜,7、背板,8、互联条,9、汇流条。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。本实施例以本实用新型技术方案为前提进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。
一种抗PID效应的电池组件,如图1和图2所示,包括钢化玻璃层1、电池片层3、普通型EVA胶膜6和背板7,电池组件还包括抗PID型EVA胶膜2和互联条8,钢化玻璃层1、抗PID型EVA胶膜2、电池片层3、普通型EVA胶膜6和背板7通过互联条8依次层叠连接。
电池组件还包括汇流条9,电池片层3包括多个串联的电池片,多个电池片通过汇流条9连接。
电池片之间设有隔离条片5。
电池片层3还包括用于粘结隔离条片5和电池片的EVA盖条4。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的