[实用新型]脑深部电刺激装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及医疗器械领域，尤其涉及一种脑深部电刺激装置。

背景技术

DBS(Deep Brain Stimulation，脑深部电刺激疗法)，为治疗帕金森等疾病提供了一种可以调节的可逆性手段。这种治疗方法利用一个类似于心脏起搏器的装置，向精确定位的脑深部核团输送电刺激。对这些部位进行刺激，可以控制运动功能的回路恢复相对正常。如图1所示，现有的脑深部电刺激装置包括刺激电路30和刺激电极131，刺激电路30产生电刺激信号，与刺激电极131连接，通过刺激电极131向脑深部输送电刺激。刺激电路30包括电池21、FUSE22(保险丝)、RF芯片23、刺激生成模块10，电池21通过FUSE22为刺激生成模块10提供电能，RF芯片23接收外部的刺激参数给刺激生成模块10。在现有技术中，刺激生成模块10具体包括MCU12、刺激芯片13、外围电路14。现有技术中的脑深部电刺激装置通讯电流较大，通讯时间较长，从而长期使用导致电池电阻增大，缩短电池使用寿命。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种脑深部电刺激装置，解决了现有技术中脑深部电刺激装置通讯电流大，通讯时间长的技术问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型的一种脑深部电刺激装置，包括刺激电路和刺激电极，所述刺激电路包括：

与所述刺激电极连接的刺激生成模块，用于生成电刺激信号通过所述刺激电极输送到脑深部；

连接所述刺激生成模块并为其提供电能的电源模块；

与所述刺激生成模块连接的NFC模块，所述刺激生成模块通过所述NFC模块接收外部配合设置的NFC控制器的刺激参数，所述刺激生成模块根据所述刺激参数生成电刺激信号。

作为本实用新型上述脑深部电刺激装置的进一步改进，所述刺激生成模块通过所述NFC模块将系统状态信息发送给外部配合设置的NFC控制器。

作为本实用新型上述脑深部电刺激装置的进一步改进，所述刺激电路与所述刺激电极一体成形。

作为本实用新型上述脑深部电刺激装置的进一步改进，所述刺激生成模块包括控制单元和刺激单元，所述控制单元根据所述刺激参数发出控制信号，所述刺激单元根据所述控制信号产生电刺激信号。

作为本实用新型上述脑深部电刺激装置的进一步改进，所述控制单元还监测系统温度、和/或测量系统电压、和/或测量系统电流、和/或测量刺激电流、和/或测量刺激电压、和/或测量刺激阻抗、和/或充电电流。

作为本实用新型上述脑深部电刺激装置的进一步改进，所述电源模块包括：

充电线圈，所述充电线圈通过无线充电的方式接收外部的电能；

整流单元、蓄电单元，所述蓄电单元通过所述整流单元连接所述充电线圈将充电线圈接收的电能储存起来。

作为本实用新型上述脑深部电刺激装置的进一步改进，所述蓄电单元为法拉电容。

作为本实用新型上述脑深部电刺激装置的进一步改进，所述电源模块还包括连接于所述法拉电容与所述刺激生成模块之间的稳压单元，所述法拉电容通过所述稳压单元为所述刺激生成模块提供电能。

作为本实用新型上述脑深部电刺激装置的进一步改进，所述电源模块包括：

用于存储电能的电池；

连接于所述电池与所述刺激生成模块之间的安全电阻，所述电池通过所述安全电阻为所述刺激生成模块提供电能。

作为本实用新型上述脑深部电刺激装置的进一步改进，所述安全电阻的阻值为50-150欧姆。

与现有技术相比，本实用新型在脑深部电刺激装置内设置有NFC模块，通过NFC模块接收外部配合设置的NFC控制器的刺激参数，刺激生成模块根据刺激参数可以生成电刺激信号。本实用新型可以降低功耗，缩短通讯时间，从而提高内部电源模块的使用寿命。

附图说明

图1为现有技术中脑深部电刺激装置示意图。

图2为脑深部电刺激装置双侧植入示意图。

图3为本实用新型一实施方式中脑深部电刺激装置示意图。

图4为本实用新型一实施方式中脑深部电刺激装置示意图。

图5为图4实施方式中安全电阻的电路示意图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的具体实施方式对本实用新型进行详细描述。但这些实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。