[实用新型]磁传感器装置、磁性编码器装置及磁传感器有效
申请号: | 201420742962.X | 申请日: | 2014-12-01 |
公开(公告)号: | CN204241009U | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 横内毅 | 申请(专利权)人: | 日本电产三协株式会社 |
主分类号: | G01D5/165 | 分类号: | G01D5/165 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡晓萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 装置 磁性 编码器 | ||
技术领域
本实用新型涉及磁传感器装置、使用该磁传感器装置的磁性编码器装置及磁传感器。
背景技术
磁性编码器装置等中使用的磁传感器装置具有磁介质和与磁介质相对的磁传感器,磁传感器对伴随着其与磁介质的相对移动而产生的磁场变化进行检测。在上述磁传感器装置中,利用了设于磁传感器的磁阻元件的内部电阻与磁场的变化相对应地变化的磁阻效应。更具体而言,伴随着磁介质与磁传感器的相对移动,根据从A相的磁阻元件输出的SIN信号和从B相的磁阻元件输出的COS信号对磁介质与磁传感器的相对位置进行检测。此时,从A相的磁阻元件输出的SIN信号及从B相的磁阻元件输出的COS信号分布为正弦波及余弦波是较为理想的,但上述输出信号一般由基波分量和与该基波分量重叠的谐波分量构成。
因此,有一种将多个磁阻元件配置于隔开由下式求出的距离的位置,以消除谐波分量的技术:
[n/2±m/(2×k)]λ
在上式中,n=整数,m=奇数,k=奇数谐波阶数,λ=磁极间隔(S极与N极的距离)(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开昭63-225124号公报
然而,当在隔开由下式求出的距离的位置配置消除五阶谐波分量的磁阻元件时,磁阻元件彼此接近的结果是,存在因磁阻元件的相互作用的影响而不能恰当地消除谐波分量这样的问题。
实用新型内容
鉴于以上问题,本实用新型的技术问题在于提供一种即便在使多个磁阻元件并列的情况下、也能缓和相邻的磁阻元件彼此的磁相互干涉的磁传感器装置、磁性编码器装置及磁传感器。
为了解决上述技术问题,本实用新型的磁传感器装置包括:磁介质;以及磁传感器,该磁传感器与上述磁介质相对,并对伴随着与上述磁介质的相对移动而产生的磁场变化进行检测,在上述磁介质上沿着上述磁介质与上述磁传感器的相对移动方向交替地配置有S极和N极,其特征是,上述磁传感器沿着上述相对移动方向包括多个磁阻元件,上述多个磁阻元件中的相邻的磁阻元件的间隔为上述磁阻元件的宽度尺寸以上。
在本实用新型中,磁传感器沿着其与磁介质的相对移动方向包括多个磁阻元件,但多个磁阻元件中的相邻的磁阻元件的间隔为磁阻元件的宽度尺寸以上。因此,能缓和相邻的磁阻元件彼此的磁相互干涉。
在本实用新型中,较为理想的是,上述多个磁阻元件被配置成抵消谐波分量。根据上述结构,磁阻元件彼此接近,但相邻的磁阻元件的间隔为磁阻元件的宽度尺寸以上。因此,能缓和相邻的磁阻元件彼此的磁相互干涉,因此,能有效地缓和谐波分量的影响。
在本实用新型中,较为理想的是,上述多个磁阻元件被配置成抵消三阶谐波分量及五阶谐波分量。
在本实用新型中,能采用以下结构:上述磁阻元件隔着下式所获得的距离:[n/2±m/(2×k)]λ,其中,n=整数,m=奇数,k=奇数谐波阶数,λ=磁极间隔(S极与N极的间隔)。
在本实用新型中,较为理想的是,在上述多个磁阻元件中包括隔着λ/6间隔的磁阻元件对和隔着(λ/2+λ/10)间隔的磁阻元件对。根据上述结构,用于消除五阶谐波分量的磁阻元件对也配置于隔开足够距离的位置。因此,能缓和相邻的磁阻元件彼此的磁相互干涉,因此,能有效地缓和谐波分量的影响。
在本实用新型中,较为理想的是,上述磁阻元件的厚度比上述磁阻元件的宽度薄。根据上述结构,能缓和相邻的磁阻元件彼此的磁相互干涉。
应用本实用新型的磁传感器装置能用在磁性编码器装置中。在该情况下,在磁性线性编码器装置中,上述磁传感器和上述磁介质沿着S极和N极排列的方向相对地进行直线移动。另外,在磁性旋转编码器装置中,上述磁传感器和上述磁介质沿着S极和N极排列的方向相对地进行旋转移动。
本实用新型的磁传感器的特征是,在第一方向上延伸的多个磁阻元件被排列在与该第一方向交叉的第二方向上,上述多个磁阻元件中的相邻的磁阻元件的间隔为上述磁阻元件的宽度尺寸以上。
在本实用新型中,较为理想的是,多个磁阻元件中的相邻的磁阻元件之间的间隔为磁阻元件的宽度尺寸以上。因此,能缓和相邻的磁阻元件彼此的磁相互干涉。
在该情况下,较为理想的是,上述磁阻元件的厚度比上述磁阻元件的宽度薄。根据上述结构,能缓和相邻的磁阻元件彼此的磁相互干涉。
在本实用新型中,磁传感器沿着其与磁介质的相对移动方向包括多个磁阻元件,但多个磁阻元件中的相邻的磁阻元件的间隔为磁阻元件的宽度尺寸以上。因此,能缓和相邻的磁阻元件彼此的磁相互干涉。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电产三协株式会社,未经日本电产三协株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420742962.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。