[实用新型]IGBT集电极电压钳位电路

权利要求书

1.一种IGBT集电极电压钳位电路，其特征在于包括：对IGBT集电极关断时的过电压信号进行反馈的过压反馈模块，用于调整过压反馈模块电流的电阻电容网络模块，对驱动IGBT的驱动脉冲进行功率放大的功率推挽模块，以及用于调整IGBT的通断速率及钳制其门极电压的门极电阻单元和钳位电路；所述电阻电容网络模块连接于IGBT的集电极，过压反馈模块的输入端连接于电阻电容网络模块，其输出端分别连接于功率推挽模块的信号输入端和IGBT的门极，所述功率推挽模块的信号输出端连接于门极电阻单元，所述门极电阻单元及钳位电路连接于IGBT的门极，且IGBT的门极经由电阻R7与其发射极相连。

2.根据权利要求1所述的IGBT集电极电压钳位电路，其特征在于：所述的电阻电容网络模块包括并联相接的电阻R9和电容C1。

3.根据权利要求2所述的IGBT集电极电压钳位电路，其特征在于：所述的过压反馈模块包括依次串接于电阻电容网络模块的瞬态电压抑制二极管Z1、Z2，以及连接于瞬态电压抑制二极管Z2与功率推挽模块信号输入端之间的超快恢复二极管D1，还包括依次串接于瞬态电压抑制二极管Z2与IGBT门极之间的超快恢复二极管D2和电阻R8。

4.根据权利要求3所述的IGBT集电极电压钳位电路，其特征在于：所述的功率推挽模块包括双极型晶体管V1、V2、V3、V4、V5、V6，电阻R10、R11、R12、R13、R14、R15，以及+15V/-15V电源；所述双极型晶体管V1、V2、V3的基极分别与V4、V5、V6的基极相连，电阻R10、R13连接于V1、V4的基极相连端，电阻R11、R14连接于V2、V5的基极相连端，电阻R1，2、R15连接于V3、V6的基极相连端，且R10、R11、R12均连接于过压反馈模块的超快恢复二极管D1上，R13、R14、R15均连接于功率推挽模块的信号输入端，双极型晶体管V1、V2、V3的集电极接+15V电源，双极型晶体管V4、V5、V6的集电极接-15V电源，V1、V2、V3、V4、V5、V6的发射极连接于一起形成功率推挽模块的信号输出端，并连接于门极电阻单元上。

5.根据权利要求4所述的IGBT集电极电压钳位电路，其特征在于：所述的门极电阻单元包括串联相接于功率推挽模块的信号输出端与IGBT门极之间的第一电阻单元和第二电阻单元，所述第一电阻单元包括并联相接且与功率推挽模块的信号输出端相连的电阻R1、R2、R3和超快恢复二极管D3，所述第二电阻单元包括并联相接且与IGBT门极相连的电阻R4、R5、R6和超快恢复二极管D4，所述第一电阻单元内的超快恢复二极管D3的阳极与第二电阻单元内的超快恢复二极管D4的阳极相连接。

6.根据权利要求5所述的IGBT集电极电压钳位电路，其特征在于：所述的钳位电路包括连接于IGBT门极上的超快恢复二极管D5，所述超快恢复二极管D5的阴极连接+15V电源。

7.根据权利要求6所述的IGBT集电极电压钳位电路，其特征在于：所述电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6为金属膜电阻，所述电阻R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15为厚膜电阻，所述电容C1为聚丙烯薄膜电容。