[实用新型]双电阻PNP型达林顿功率晶体管有效

申请号：	201420744837.2	申请日：	2014-12-02
公开（公告）号：	CN204204842U	公开（公告）日：	2015-03-11
发明（设计）人：	龚利汀;易琼红;龚利贞	申请（专利权）人：	无锡固电半导体股份有限公司
主分类号：	H01L23/488	分类号：	H01L23/488;H01L25/07;H01L25/00
代理公司：	无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104	代理人：	曹祖良
地址：	214028 ***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	电阻 pnp 型达林顿功率晶体管
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【权利要求书】：

1.一种双电阻PNP型达林顿功率晶体管，包括一P型衬底，其特征在于，还包括：

形成于P型衬底背面的背面金属层(8)，用于形成前级晶体管T1和后级晶体管T2共接的集电极；

在P型衬底的正面形成有相互隔离的前级晶体管T1的N型基区(5)和后级晶体管T2的N型基区(12)以及隔离区的N型基区沟道电阻(9)；在前级晶体管T1的N型基区(5)内形成有前级晶体管T1的P+型发射区(4)；在后级晶体管T2的N型基区(12)内形成有后级晶体管T2的P+型发射区(11)；在隔离区的N型基区沟道电阻(9)内形成P型发射区扩散环(10)；在P型衬底的正面覆盖有氧化层(3)；

P型衬底的正面氧化层(3)之上还形成有连接前级晶体管T1的P+型发射区(4)和后级晶体管T2的N型基区(12)的连接金属层(2)；

在前级晶体管T1的N型基区(5)上方的衬底正面设有前级晶体管T1基极金属层(15)，用于形成T1管的基极；

在后级晶体管T2的P+型发射区(11)上方的衬底正面设有后级晶体管T2发射极金属层(14)，用于形成T2管的发射极；

在P型衬底的正面最外层覆盖有钝化层(1)；

前后级晶体管隔离区的N型基区沟道电阻(9)用于形成前级晶体管T1的BE间的电阻R1；

后级晶体管T2上方的氧化层(3)上开有连通孔并覆盖连通金属层(13)，连通金属层(13)与后级晶体管T2基区上方的连接金属层(2)相连，通过后级晶体管T2氧化层下N型基区与T2发射区形成后级晶体管T2的BE间电阻R2。

2.如权利要求1所述的双电阻PNP型达林顿功率晶体管，其特征在于：

所述背面金属层(8)包含三层结构，与衬底相接的是钛层，中间为镍层，底层为银层。

3.如权利要求2所述的双电阻PNP型达林顿功率晶体管，其特征在于：

背面金属层(8)的钛层，镍层，银层的厚度为1000?/4000?/16000?。

4.如权利要求1所述的双电阻PNP型达林顿功率晶体管，其特征在于：

P型衬底包括与背面金属层(8)相接的P+型第一衬底子层(7)和第一衬底子层(7)之上的P型第二衬底子层(6)。