[实用新型]后级单电阻PNP型达林顿功率晶体管有效

申请号：	201420746089.1	申请日：	2014-12-02
公开（公告）号：	CN204204857U	公开（公告）日：	2015-03-11
发明（设计）人：	龚利汀;易琼红;龚利贞	申请（专利权）人：	无锡固电半导体股份有限公司
主分类号：	H01L27/04	分类号：	H01L27/04;H01L29/735;H01L29/06;H01L23/29;H01L29/45
代理公司：	无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104	代理人：	曹祖良
地址：	214028 ***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	后级单电阻 pnp 型达林顿功率晶体管
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【权利要求书】：

1.一种后级单电阻PNP型达林顿功率晶体管，包括一P型衬底，其特征在于，还包括：

形成于P型衬底背面的背面金属层(8)，用于形成前级晶体管T1和后级晶体管T2共接的集电极；

在P型衬底的正面形成有相互隔离的前级晶体管T1的N型基区(5)和后级晶体管T2的N型基区(11)；前级晶体管T1的N型基区(5)和后级晶体管T2的N型基区(11)间形成有P+型发射区隔离墙(10)；在前级晶体管T1的N型基区(5)内形成有前级晶体管T1的P+型发射区(4)；在后级晶体管T2的N型基区(11)内形成有后级晶体管T2的P+型发射区(12)；在T2管的基区和发射区之间形成有P+型发射区电阻(9)；在P型衬底的正面覆盖有氧化层(3)；

P型衬底的正面氧化层(3)之上还形成有连接前级晶体管T1的P+型发射区(4)和后级晶体管T2的N型基区(11)的连接金属层(2)；

在前级晶体管T1的N型基区(5)上方的衬底正面设有前级晶体管T1基极金属层(13)，用于形成T1管的基极；

在后级晶体管T2的P+型发射区(12)上方的衬底正面设有后级晶体管T2发射极金属层(14)，用于形成T2管的发射极；

在P型衬底的正面最外层覆盖有钝化层(1)。

2.如权利要求1所述的后级单电阻PNP型达林顿功率晶体管，其特征在于：

所述背面金属层(8)包含三层结构，与衬底相接的是钛层，中间为镍层，底层为银层。

3.如权利要求1所述的后级单电阻PNP型达林顿功率晶体管，其特征在于：

P型衬底包括与背面金属层(8)相接的P+型第一衬底子层(7)和第一衬底子层(7)之上的P型第二衬底子层(6)。

4.如权利要求3所述的后级单电阻PNP型达林顿功率晶体管，其特征在于：

P+型第一衬底子层(7)采用三重扩散结构，自背面金属层(8)至第二衬底子层(6)方向三重扩散的浓度递减。

5.如权利要求1所述的后级单电阻PNP型达林顿功率晶体管，其特征在于：

氧化层(3)包含两个子层，上层为二氧化硅层，下层为掺氧多晶硅层。