[实用新型]一种LVDT新型的线圈绕制结构有效

专利信息
申请号: 201420751677.4 申请日: 2014-12-03
公开(公告)号: CN204332574U 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 刘彦君;肖岸飞;梁国栋;王鲲鹏 申请(专利权)人: 武汉航空仪表有限责任公司
主分类号: H01F5/02 分类号: H01F5/02;H01F41/06;G01B7/02
代理公司: 中国航空专利中心 11008 代理人: 杜永保
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 lvdt 新型 线圈 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于机械设计技术领域,涉及一种LVDT新型的线圈绕制结构。

背景技术

通常LVDT线位移传感器线性范围较小,线圈常规绕制结构磁场线性范围较小,因此为了得到较大的量程范围往往需要几十倍的线圈长度。在实际应用过程中,不能满足线位移传感器小型化、高精化的要求。

发明内容

本发明的目的:提出一种结构简单、线性范围大、可靠性高的LVDT新型的线圈绕制结构。

本发明的技术方案:一种LVDT新型的线圈绕制结构,其特征为:所述结构包括线圈组件、壳体4、底盖8、铁芯5、连杆6;线圈组件包括骨架3、初级线圈2、次级线圈Ⅰ1、次级线圈Ⅱ7组成;初级线圈2均匀分布在骨架3每个线槽内;次级线圈Ⅰ1、次级线圈Ⅱ7绕制在初级线圈2上,且次级线圈Ⅰ1、次级线圈Ⅱ7以骨架3轴向中心对称分布,每个线槽内绕制线圈匝数由内向外阶梯递增;壳体4通过两端挤压变形的收口方式与底盖8、骨架3紧固;铁芯5通过螺纹与连杆(6)连接,可在骨架3中心孔内自由移动。

本发明的优点:本实用新型通过阶梯递增线圈绕制结构使LVDT线位移传感器磁路均匀,线性范围更大,这样在相同外部尺寸条件下具有更大的量程。其结构简单可靠、性能优良。

附图说明:

图1是本实用新型一种LVDT新型的线圈绕制结构具体实施方式的剖视图;

其中,1-次级线圈Ⅰ、2-初级线圈、3-骨架、4-壳体、5-铁芯、6-连杆、7-次级线圈Ⅱ、8-底盖。

具体实施方式:

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做进一步详细说明。

参见图1,其为本实用新型一种LVDT新型的线圈绕制结构的一种具体实施方式。所述结构包括线圈组件、壳体4、底盖8、铁芯5、连杆6;线圈组件包括骨架3、初级线圈2、次级线圈Ⅰ1、次级线圈Ⅱ7组成;初级线圈2均匀分布在骨架3每个线槽内;次级线圈Ⅰ1、次级线圈Ⅱ7绕制在初级线圈2上,且次级线圈Ⅰ1、次级线圈Ⅱ7以骨架3轴向中心对称分布,每个线槽内绕制线圈匝数由内向外阶梯递增;壳体4通过两端挤压变形的收口方式与底盖8、骨架3紧固;铁芯5通过螺纹与连杆6连接,可在骨架3中心孔内自由移动。

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