[实用新型]一种发光二极管有效

专利信息
申请号: 201420752979.3 申请日: 2014-12-03
公开(公告)号: CN204216064U 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 张楠;张鹏;张冀 申请(专利权)人: 佛山市国星半导体技术有限公司
主分类号: H01L33/02 分类号: H01L33/02;H01L33/10
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 528226 广东省佛山市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光二极管
【权利要求书】:

1.一种发光二极管,其特征在于,包括:

衬底;

氮化镓基,所述氮化镓基位于所述衬底表面包括:位于所述衬底表面的第一氮化镓层,位于所述第一氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层,位于所述有源层背离所述第一氮化镓层一侧的第二氮化镓层;

多个电极孔洞,所述电极孔洞位于所述氮化镓基内,完全贯穿所述第二氮化镓层和所述有源层,延伸至所述第一氮化镓层表面;

反射镜层,所述反射镜层位于所述第二氮化镓层背离所述有源层一侧表面;

绝缘层,所述绝缘层位于所述电极孔洞侧壁,且覆盖相邻电极孔洞之间反射镜层表面;

电极结构,所述电极结构包括:位于所述绝缘层表面且完全填充所述电极孔洞的第一电极,和位于未覆盖有所述绝缘层的反射镜层背离所述第二氮化镓层一侧表面的第二电极;

导热层,所述导热层位于所述电极结构背离所述反射镜层一侧表面。

2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述导热层包括:位于所述第一电极背离所述反射镜层一侧表面的第一导热层,和位于所述第二电极背离所述反射镜层一侧表面的第二导热层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管还包括:

贯穿所述导热层的共晶层孔洞,所述共晶层孔洞包括:贯穿所述第一导热层的第一共晶层孔洞和贯穿所述第二导热层的第二共晶层孔洞;

完全填充所述第一共晶层孔洞和第二共晶层孔洞的共晶层。

4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述第一共晶层孔洞与所述第二共晶层孔洞之间的距离不小于75μm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管还包括:

位于所述第二氮化镓层与所述反射镜层之间的欧姆接触层。

6.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管还包括:

位于所述反射镜层背离所述第二氮化镓层一侧表面的防扩散层,所述防扩散层部分位于所述第二氮化镓层与所述绝缘层之间,部分位于所述第二氮化镓层与所述第二电极之间。

7.根据权利要求1-6任一项所述的发光二极管,其特征在于,所述导热层为类金刚石碳膜层。

8.根据权利要求7所述的发光二极管,其特征在于,所述导热层的厚度不小于1μm。

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