[实用新型]一种复合沟道的有机场效应管有效
| 申请号： | 201420758725.2 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN204809266U | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陈真;郑亚开;唐莹;韦一;彭应全 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 沟道 有机 场效应 | ||
【权利要求书】：
1.一种复合沟道的有机场效应管，由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加，其特征在于：有源层为复合有源层，它由N型纵向有源层、P型纵向有源层、P型水平有源层、N型水平有源层构成，通过采用光刻法和掩膜法形成水平、纵向叠加的有源层。
2.根据权利要求1所述的一种复合沟道的有机场效应管，其特征在于：N型纵向有源层、P型纵向有源层各两层，P型水平有源层、N型水平有源层各一层。
3.根据权利要求1所述的一种复合沟道的有机场效应管，其特征在于：P型纵向有源层在外侧，N型纵向有源层在内侧。
4.根据权利要求1所述的一种复合沟道的有机场效应管，其特征在于：P型水平有源层靠近栅电极，N型水平有源层靠近源漏电极。
5.根据权利要求1所述的一种复合沟道的有机场效应管，其特征在于：所述的衬底为重掺杂硅片。
6.根据权利要求1所述的一种复合沟道的有机场效应管，其特征在于：所述的栅介质为SiO2。
7.根据权利要求1所述的一种复合沟道的有机场效应管，其特征在于：所述的P型纵向有源层以及P型水平有源层为并五苯层。
8.根据权利要求1所述的一种复合沟道的有机场效应管，其特征在于：所述的N型纵向有源层以及N型水平有源层为C60。
9.根据权利要求1所述的一种复合沟道的有机场效应管，其特征在于：所述的源、漏电极为Ag。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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