[实用新型]一种鞋底结构有效
申请号: | 201420760720.3 | 申请日: | 2014-12-05 |
公开(公告)号: | CN204245307U | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 潘水民 | 申请(专利权)人: | 潘水民 |
主分类号: | A43B13/26 | 分类号: | A43B13/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362300 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 鞋底 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及鞋类技术领域,特别是涉及一种鞋底结构。
背景技术
根据足部生物力学研究表明,大多数人的运动特征是以后脚跟先着地并以前脚掌离地的,而前脚掌离地时需要利用鞋底与地面之间的作用力为足部提供向前的推进力,同时前脚掌蹬地时对其抓地性能要求较高。然而,现有的鞋底前掌部位的抓地功能结构一般是设置防滑纹,比如人字纹或波浪纹等。这些防滑纹确实能够起到抓地和提供助推力的作用,但是却不能够提高前脚掌蹬地时的能量回归值。
实用新型内容
为克服现有技术存在的技术缺陷,本实用新型提供一种具有良好的抓地性能和控制能力、且能够提高鞋底的能量回归值的鞋底结构。
本实用新型采用的技术解决方案是:
一种鞋底结构,包括与地面直接接触的鞋底下表面,所述鞋底下表面在与人前脚掌相对应位置处设有抓地结构和控制部;
所述控制部呈向上弯曲的圆形弧面体,并且对应设置在前脚掌内侧边缘;
所述抓地结构由多个曲式棒槌状的抓地单元构成,多个所述抓地单元相对所述控制部向外辐射设置;每个所述抓地单元为所述鞋底下表面向上凹陷形成的凹槽,其包括靠近所述控制部的近端部、远离所述控制部的远端部、以及曲线连接所述近端部和所述远端部的中曲部,且所述远端部的宽度大于所述近端部的宽度。
优选地,所述远端部和所述近端部的边缘横截面形状均为圆弧形。
优选地,所述远端部的边缘纵截面形状为倾斜平面,且所述倾斜平面为相对所述鞋底下表面向上且向所述控制部方向倾斜设置。
优选地,所述倾斜平面的倾斜角度为30°~45°。
优选地,所述控制部上设有两个线槽,两个所述线槽沿所述鞋底下表面宽度方向延伸设置。
优选地,所述中曲部上向下凸出设置有EVA凸柱,所述EVA凸柱的高度小于所述抓地单元对应位置处的凹陷高度,且所述EVA凸柱靠近地面的凸柱底端向上凹陷设置有吸盘。
本实用新型的有益效果:由于在鞋底下表面与前脚掌内侧相对应位置处设置控制部,使得在以前脚掌内侧最后离地时提供稳定的控制能力,维持在运动中的平衡;由于在控制部外围向外辐射设置有由多个抓地单元构成的抓地结构,该抓地结构为横截面形状呈曲式棒槌状的凹槽,且远端部宽度大于近端部,其抓地性能由近端部向远端部不断增强,同时使得该抓地单元在受力后的变形能力更强,其能量回归值更高。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图2为沿图1中所示A-A处的剖面图。
附图标记说明:
10.控制部;100.线槽;20.抓地单元;21.近端部;22.远端部;23.中曲部;230.EVA凸柱;2300.吸盘。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
如图1所示,本实施例提供一种鞋底结构,包括与地面直接接触的鞋底下表面,所述鞋底下表面在与人前脚掌相对应位置处设有抓地结构和控制部10。
所述控制部10呈向上弯曲的圆形弧面体,并且对应设置在前脚掌内侧边缘,所述控制部10上设有两个线槽100,两个所述线槽100沿所述鞋底下表面宽度方向延伸设置,该两个所述线槽100有助于提升控制部10对前脚掌离地向前的助推作用。
所述抓地结构由多个曲式棒槌状的抓地单元20构成,多个所述抓地单元20相对所述控制部10向外辐射设置。每个所述抓地单元20为所述鞋底下表面向上凹陷形成的凹槽,其包括靠近所述控制部10的近端部21、远离所述控制部10的远端部22、以及曲线连接所述近端部21和所述远端部22的中曲部23,且所述远端部22的宽度大于所述近端部21的宽度,所述远端部22和所述近端部21的边缘横截面形状均优选为圆弧形。在本实施例中,所述远端部22的边缘纵截面形状为倾斜平面,且所述倾斜平面为相对所述鞋底下表面向上且向所述控制部10方向倾斜设置,所述倾斜平面的倾斜角度为30°~45°。该倾斜平面和所述中曲部23曲线结构可大大提升所述远端部22的耐变形能力,增强所述远端部22边缘的抗压强度
在上述技术方案的基础上,为增强所述抓地单元20在运动过程中受力后的变形能力、能量反馈作用以及抓地稳定性能,在所述中曲部23上向下凸出设置有EVA凸柱230,所述EVA凸柱230的高度小于所述抓地单元20对应位置处的凹陷高度,且所述EVA凸柱230靠近地面的凸柱底端向上凹陷设置有吸盘2300,如图2所示。
本实用新型不局限于上述最佳实施方式,任何人应该得知在本实用新型的启示下作出的结构变化,凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案,均落入本实用新型的保护范围之内。
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