[实用新型]一种平面栅IGBT有效
| 申请号： | 201420761169.4 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN204332965U | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 赵哿;王耀华;高明超;刘江;金锐;温家良 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网浙江省电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平面 igbt | ||
1.一种平面栅IGBT，所述平面栅IGBT包括衬底、从上到下依次设置在衬底上的正面金属电极、隔离氧化膜，和平面栅极，平面栅极与衬底之间的P阱区，从上到下依次设置于P阱区内N+型掺杂区和P+型掺杂区，依次设置于衬底背面的背面P+掺杂区和背面金属电极；其特征在于，所述N+型掺杂区为断续的N+掺杂区域，所述断续的N+掺杂区域形状为长方形，长度与宽度比例为3:2，面积为20至30平方微米，所述P+型掺杂区和断续的N+掺杂区域共同形成平面栅IGBT空穴旁路和发射极集成均流电阻复合结构。
2.如权利要求1所述的平面栅IGBT，其特征在于，所述断续的N+掺杂区域的间隔区域的宽度范围为2至6微米，面积为10至20平方微米；其间隔区域的形状为长方形；所述P+型掺杂区的P+注入能量大于N+型掺杂区的N+注入能量，所述P+型掺杂区形成空穴旁路结构，所述断续的N+掺杂区域形成发射极集成均流电阻结构。
3.如权利要求1所述的平面栅IGBT，其特征在于，所述衬底为N型单晶硅片衬底，所述N型单晶硅片衬底包括：电场截止FS型衬底和非穿通NPT型衬底。
4.如权利要求3所述的平面栅IGBT，其特征在于，当N型单晶硅片衬底采用软穿通SPT型或电场截止FS型时，所述平面栅IGBT包括位于N型单晶硅片衬底背面的N型低浓度缓冲区；若N型单晶硅片衬底采用非穿通NPT型时，则不需要N型低浓度缓冲区。
5.如权利要求1-4中任一项所述的平面栅IGBT，其特征在于，所述平面栅IGBT的正向导通压降为600V至6500V。
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