[实用新型]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201420762335.2 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN204289466U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张永晖;梅增霞;刘利书;梁会力;刘尧平;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/40;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;李科 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括沟道层、绝缘层、源极、漏极、栅极和调节电极，所述沟道层具有相对设置的第一表面和第二表面，所述源极和漏极位于所述沟道层的第一表面上，所述调节电极与所述沟道层的第一表面和第二表面中的一个表面电连接，所述绝缘层设置在所述沟道层的第一表面和第二表面中的另一个表面上，并位于所述栅极和所述沟道层之间。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述调节电极位于所述沟道层的第一表面上，且位于所述源极和漏极之间，所述绝缘层位于所述栅极和所述沟道层的第二表面之间。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括衬底，所述衬底位于所述绝缘层和所述栅极之间。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括衬底，所述栅极位于所述绝缘层和所述衬底之间。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层位于所述沟道层的第一表面上，且位于所述源极和漏极之间，所述栅极位于所述绝缘层上，所述调节电极与所述沟道层的第二表面电连接。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括非绝缘衬底，所述非绝缘衬底位于所述沟道层的第二表面与所述调节电极之间。
7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括衬底，所述调节电极位于所述衬底和所述沟道层的第二表面之间。
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