[实用新型]一种LPCVD沉积炉管

说明书

技术领域

本实用新型属于LPCVD沉积设备技术领域，特别涉及一种LPCVD沉积炉管。

背景技术

近年来，随着半导体产业及微电子技术的迅猛发展，半导体工艺特征尺寸的减小，对薄膜的均匀性要求及膜厚的误差要求不断提高，LPCVD技术不仅用于制备硅外延层，还广泛用于各种无定形钝化膜及多晶薄膜的沉积，是一种重要的薄膜淀积技术。从LPCVD沉积原理可知，参与反应的气体，由于压力差的作用，从炉管一端流向另一端，有一部分将被吸附在晶片表面上，借助温度的作用，沉积反应将会发生。传统的LPCVD载片舟只由两根带槽的圆棒组成，因此，晶圆片全部裸露在外，沉积薄膜厚度从反应气体进入的方向到反应气体排出的方向由厚到薄分布，难以保证沉积薄膜厚度的一致性。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种LPCVD沉积炉管，可使LPCVD反应腔中的气体均匀的进入载片舟中，使得沉积薄膜厚度一致，以克服现有技术存在的不足。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

一种LPCVD沉积炉管，包括管体以及设于管体内的载片支架，所述管体一端具有进气口，另一端具有出气口，其特征在于：所述管体内还设有内壳，所述载片支架位于所述内壳内，所述内壳上均匀分布有通孔。

在本实用新型具体实施方式中，所述内壳为筒状内壳，所述筒状内壳的壳身和两端的端盖上均均匀分布有通孔。

所述通孔为圆孔，孔径优选5mm。

所述壳身的底部还具有支撑脚。所述支撑脚为一对长条型支撑脚。

所述载片支架由一对圆柱构成，所述一对圆柱上分布有对称的凹槽。

所述凹槽宽度为1mm，所述凹槽间距为5mm。

所述内壳的材质为石英或碳化硅。

为了保证壳身与两端的端盖的拼接，端盖的内径与壳身的外径相同。这样可方便的将两端的端盖与壳身进行组合，并且两端的端盖通用，方便了操作。

本实用新型的LPCVD沉积炉管用于LPCVD沉积工艺中，管体内沉积气体可从内壳两端的端盖和壳身上分布的圆孔均匀地进入载片舟，可使载片支架上晶圆片沉积膜片与片之间、一片上中间和周围的沉积厚度一致。本实用新型的载片舟在半导体体晶圆沉积生产中使用非常方便，保证了沉积膜的一致性。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细说明：

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为载片舟的立体结构示意图；

图中：100-内壳，101-壳身，102-端盖，103-圆孔，200-载片支架，201-圆柱，202-凹槽，300-支撑脚。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型的LPCVD沉积炉管，包括管体10和设于管体10内的载片舟20。其中，管体10一端具有进气口11，另一端具有出气口12。在管体10的外部还设有电加热丝30用于对管体10进行加热。

如图2所示，载片舟20包括内壳100和载片支架200。其中，内壳100为筒状内壳，材质为石英或碳化硅，由壳身101和两端的端盖102组装而成。壳身101和两端的端盖102上均均匀分布有圆孔103，圆孔103的孔径为5mm。

为了保证壳身101与两端的端盖102的拼接，端盖102的内径与壳身101的外径相同。这样可方便的将两端的端盖102与壳身101进行组合，并且两端的端盖通用，方便了操作。

载片支架200放置在内壳100内，在打开端盖时，可以从内壳200中去除载片支架200。

载片支架200由一对圆柱201构成，该一对圆柱201上分布有对称的凹槽202。凹槽宽度为1mm，凹槽间距为5mm。

另外，在壳身101的底部还具有支撑脚300。该支撑脚300为一对长条型支撑脚。

以上就是本实用新型的LPCVD沉积炉管，该LPCVD沉积炉管用于LPCVD沉积工艺中，管体内沉积气体可从内壳两端的端盖和壳身上分布的圆孔均匀地进入载片舟，可使载片支架上晶圆片沉积膜片与片之间、一片上中间和周围的沉积厚度一致。本实用新型的载片舟在半导体体晶圆沉积生产中使用非常方便，保证了沉积膜的一致性。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型作任何形式上的限制，任何所属技术领域中具有通常知识者，若在不脱离本实用新型所提出的权利要求的保护范围内，利用本实用新型所揭示的技术内容所作出的局部更动或修饰的等效实施例，并且未脱离本实用新型的技术特征内容，均仍属本实用新型技术特征的范围内。