[实用新型]超低本底α电离室

权利要求书

1.超低本底α电离室，其特征在于，该电离室包括一个圆柱形的腔体和屏蔽体，其中腔体位于屏蔽体内且位于屏蔽体底部的中心位置；腔体顶部的下表面设置有圆形的阳极和圆环形保护极，阳极和保护极的工作电压相同且均作为收集极，阳极、保护极及圆柱形腔体顶部的圆心位置一致，保护极位于阳极的外侧且与阳极之间绝缘；腔体的底部设置有样品托，同时也作为阴极；阳极和阴极之间的距离为常压下α粒子在电离室工作气体中射程的2～5倍。

2.根据权利要求1所述的超低本底α电离室，其特征在于，阳极、保护极及阴极的材质为金属。

3.根据权利要求1或2所述的超低本底α电离室，其特征在于，阳极、保护极及阴极的材质为铜。

4.根据权利要求1所述的超低本底α电离室，其特征在于，腔体的材质为塑料。

5.根据权利要求1所述的超低本底α电离室，其特征在于，屏蔽体的材质为不锈钢。

6.根据权利要求1或4所述的超低本底α电离室，其特征在于，腔体的材质为尼龙。

7.根据权利要求1所述的超低本底α电离室，其特征在于，腔体底部的样品托为抽屉式结构。

8.根据权利要求1所述的超低本底α电离室，其特征在于，阳极和保护极之间留有0.1～1cm的间隙。

9.根据权利要求1所述的超低本底α电离室，其特征在于，保护极的宽度为常压下α粒子在电离室工作气体中射程的0.5～1.5倍。