[实用新型]晶硅太阳电池的正电极结构有效
| 申请号： | 201420770643.X | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN204216051U | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 高贝贝;朱惠君;钟明 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人： | 孙彬 |
| 地址： | 213022 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳电池 电极 结构 | ||
1.一种晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于，它包括：
多根细栅线金属电极(1)，呈并列平行状；
四根主栅线金属电极(2)，所述的主栅线金属电极(2)与多根细栅线金属电极(1)相垂直，每根主栅线金属电极(2)呈多段状从而被分割为至少两个主栅线金属子电极，并且主栅线金属电极(2)的断开部分位于相邻的细栅线金属电极(1)之间的空白区域。
2.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：在相邻的主栅线金属电极(2)之间的区域上设置有至少一根副栅线金属电极(3)，并且该副栅线金属电极(3)与主栅线金属电极(2)相平行。
3.根据权利要求2所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：在相邻的主栅线金属电极(2)之间的区域上设置有一根副栅线金属电极(3)。
4.根据权利要求2所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：所述的副栅线金属电极(3)的宽度为10μm～150μm。
5.根据权利要求2或3或4所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：所述的副栅线金属电极(3)的宽度与所述的细栅线金属电极(1)的宽度相同。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：所述的主栅线金属子电极(2)为完全填充结构或镂空结构。
7.根据权利要求1或2所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：所述的相邻的主栅线金属电极(2)之间的距离为38.5mm～39.5mm。
8.根据权利要求1或2所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：所述的主栅线金属电极(2)的宽度为0.2mm～12mm。
9.根据权利要求8所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：所述的主栅线金属电极(2)的宽度为1mm。
10.根据权利要求1或2所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：所述的每根主栅线金属电极(2)呈四段状从而被等间距分割为四个主栅线金属子电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
