[实用新型]基板收纳容器有效
申请号: | 201420776957.0 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN204348693U | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 杨宗益;邱铭隆;陈延方;江枝茂 | 申请(专利权)人: | 中勤实业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人: | 吴怀权 |
地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 收纳 容器 | ||
技术领域
本实用新型是关于一种基板收纳容器,特别是指一种通过环绕其盒体内周缘所设的C型齿肋部,配合其特殊的纵、横向比的结构设计,令收纳于其内的薄化基板能够更平坦,不会因重力而产生过大的向下、向外垂量或翘曲量的基板收纳容器。
背景技术
近年来,电子相关产业的高度发展以及人们对电子产品轻薄短小的要求日益增加,故而作为集成电路基础的半导体制程也越趋重要。一般半导体晶圆片在成为可用的集成电路(IC)之前,必须经过如扩散、印刻、蚀刻、光罩、或读取晶圆片刻号等近百道制程,且目前集成电路制程已进入深次微米的阶段,故环境洁度的要求更为严苛,但若要将整个工作环境的洁净度提升到较高的等级,则投入的成本将会暴增且效益不高。因此,一般是于制程设备周围设一洁净度较高的生产空间,而整体的工作环境则采用一般洁净度即可。故必须使用内部可承载数个晶圆 (wafer)的晶圆盒(即SMIF Pod、FOSB或FOUP)来进行晶圆在各生产区块的工作站、储存柜或晶圆制程所需的高洁净度与一般工作环境的一般洁净度之间移动、储存与传送的工作,以进行各晶圆在半导体各制作步骤所需的相关制程。
按照现有的前开式晶圆盒的工艺技术,请参阅图1所示的剖面,其盒体10是由两侧壁11、12,连接该两侧壁的一后壁13,与一上壁及一下壁(未标示)所构成的,以形成一容置空间而收纳基板20(即晶圆,以虚线表示者),且在该盒体10的前方设有一开口(未标示)以供基板进出该盒体10,并在对应该盒体10的开口设有一门板17以闭合该盒体10的开口并使该盒体10内部保持适当的气密性,且在该侧壁11、12内表面分别设有数片相互平行且对向的侧向齿肋片110、120,而在后壁13的两侧分别设有数片相互平行的后向齿肋片131、132,通过四个位置的齿肋片以供每块基板20可稳固置放于该晶圆盒体内部。
然,IC的硅晶圆基板至今往逐渐薄型化的趋势发展,其厚度由0.7厘米逐渐缩小至200微米或甚至更小,而在晶圆盒内卡设薄化基板20的齿肋片间的沟槽间距(约5mm)不变下,请再参阅图1所示,薄化基板20会因该等齿肋片110、120、131、132的结构,而使该薄化基板20产生向下或向外的垂量或翘曲量过大,导致在制程中取放上述薄化基板20的机械手臂,容易碰撞到该基板20,而造成该基板20破损,也就是说,薄化基板容易因垂量过大而被机械手臂取放行程所干涉,进而使破片的风险大增。
由此可见,上述业界于现有前开式晶圆盒的齿肋结构仍有诸多缺失,实非一良善的设计,而亟待加以改良。
实用新型内容
有鉴于此,本案发明人本于多年从事相关产品的制造开发与设计经验,针对上述的目标,详加设计与审慎评估后,终得一具实用性的本实用新型。
本实用新型的主要目的,在于提供一种基板收纳容器,通过环绕其盒体内周缘的多个垂直排列的C型齿肋部的设置,并配合此每一C型齿肋部具有特殊的纵、横向比的结构设计,令收纳于其内的薄化基板能够更平坦,且所产生的向内或向外的垂量或翘曲量不超过C型齿肋部间的间距,从而大幅降低薄化基板的破片风险。
为达上述目的,本实用新型提供的主要技术方案包括:
一种基板收纳容器,其包括有:
一本体,该本体具有一用以收纳多个薄化基板的容置空间与一开口;
一用以盖合该本体的该开口的门体;及
数个齿肋部,环绕该本体的内周缘而呈现C型开口且彼此间大致以垂直间隔相互对齐而设立,并支撑该些薄化基板,而该每一齿肋部在靠近该C型开口的两侧端各设有一往该容置空间突伸的延伸部,该每一齿肋部具有一自该延伸部最外缘至该齿肋部最内缘的纵向延伸长;且该每一齿肋部具有一较窄横向开口宽(该纵向延伸长为一长度,该较窄横向开口宽为一宽度,且该纵向延伸长的尺寸大于该较窄横向开口宽);
其中,该每一齿肋部具有一纵向比介于0.85与1.0之间,并确保该薄化基板向外的翘曲量不超过该些齿肋部之间垂直间隔的间距,该纵向比是定义为该齿肋部的纵向延伸长与该薄化基板的直径的比值;
其中,该每一齿肋部具有一横向比介于0.6与0.7之间,并确保该薄化基板向内的翘曲量不超过该些齿肋部之间垂直间隔的间距,该横向比是定义为该齿肋部的该较窄横向开口宽与该薄化基板的直径的比值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造