[实用新型]肖特基势垒有效
| 申请号： | 201420778129.0 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN204332964U | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 姜硕;唐冬 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛强 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒 | ||
【权利要求书】：
1.一种肖特基势垒，其特征在于，包括硅片、低势垒金属层及电极金属层，所述低势垒金属层蒸镀在所述硅片上，所述电极金属层蒸镀在所述低势垒金属层上并包覆所述低势垒金属层。
2.根据权利要求1所述的肖特基势垒，其特征在于，低势垒金属层为Ti金属层。
3.根据权利要求2所述的肖特基势垒，其特征在于，所述Ti金属层的厚度为200纳米。
4.根据权利要求1～3任一项所述的肖特基势垒，其特征在于，所述电极金属层为Ag金属层或Al金属层。
5.根据权利要求4所述的肖特基势垒，其特征在于，所述Ag金属层或Al金属层的厚度为3微米。
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