[实用新型]一种化合物薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201420778578.5 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN204315592U | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 韩安军;张庆钊;彭东阳;顾世海;李琳琳 | 申请（专利权）人： | 北京汉能创昱科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽;尹学清 |
| 地址： | 102209 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种化合物薄膜太阳能电池，其依次包括衬底、背电极层、吸收层、缓冲层、窗口层和电极层，其特征在于，所述缓冲层为具有带隙梯度的CdSO缓冲层，所述CdSO缓冲层的带隙由所述吸收层至所述窗口层逐渐增加。
2.根据权利要求1所述的化合物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述CdSO缓冲层中的氧含量在远离所述吸收层的方向上呈逐渐递增。
3.根据权利要求1所述的化合物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述吸收层为铜铟硒(CISe)吸收层、铜铟镓硒(CIGSe)吸收层、铜铟镓硫硒(CIGSSe)吸收层、铜铟镓硫(CIGS)吸收层、铜铟硫(CIS)吸收层、铜锌锡硫(CZTS)吸收层、铜锌锡硫硒(CZTSSe)吸收层、铜锌锡硒(CZTSe)吸收层中的一种，所述吸收层的厚度为0.5-3μm。
4.根据权利要求3所述的化合物薄膜太阳能电池，其特征在于，窗口层包括本征透明氧化物层和透明导电氧化物层，所述本征透明氧化物层的厚度为30-100nm，所述透明导电氧化物层的厚度为200-1500nm。
5.根据权利要求4所述的化合物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述本征透明氧化物层为i-ZnO层或i-SnO2层。
6.根据权利要求4所述的化合物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述的透明导电氧化物层为掺铝氧化锌(ZnO：Al)、掺镓氧化锌(ZnO：Ga)、掺硼氧化锌(ZnO：B)、掺氢氧化锌(ZnO：H)、掺氟氧化锡(SnO2：F)和掺锡氧化铟(In2O3：Sn)中的一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
