[实用新型]一种沟槽功率MOSFET器件及其静电保护结构有效
| 申请号： | 201420784015.7 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN204230248U | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 丁磊;殷允超 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/02 |
| 代理公司： | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人： | 陈晓岷 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 功率 mosfet 器件 及其 静电 保护 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽功率MOSFET器件的静电保护结构，其特征在于：所述沟槽功率MOSFET器件的有源区外围的栅极引出端设置区域中，其中一部分区域设置了栅极引出端，另一部分区域设置了若干个静电保护引出端，该静电保护引出端包括至少一对PN结，PN结两端分别与沟槽功率MOSFET器件的源极和栅极连接。
2.如权利要求1所述的一种沟槽功率MOSFET器件的静电保护结构，其特征在于：静电保护引出端包括靠近有源区的第一区域和靠近终端区的第二区域，第一区域和第二区域之间为所述PN结，第一区域上设置有源极接触孔，第二区域上设置有栅极接触孔，沟槽功率MOSFET器件的源极金属板设置有伸入源极接触孔内与第一区域连接的源极引脚，沟槽功率MOSFET器件的栅极连接板设置有伸入栅极接触孔内与第二区域连接的栅极引脚。
3.如权利要求2所述的一种沟槽功率MOSFET器件的静电保护结构，其特征在于：静电保护引出端与栅极引出端相互间隔设置。
4.一种沟槽功率MOSFET器件，其特征在于：该沟槽功率MOSFET器件具有权利要求1或2或3中的静电保护结构。
5.如权利要求4所述的一种沟槽功率MOSFET器件，其特征在于：所述静电保护引出端与单胞沟槽内的栅极多晶硅之间不接触。
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