[实用新型]全包封半导体芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种全包封半导体芯片。

背景技术

半导体器件在成本降低和前道晶圆制造工艺的提升的共同促进下，实现了同样功能的半导体器件的单体芯片尺寸越来越小的目标，可以在半导体晶圆上形成可以直接应用在印刷电路板上安装的焊球。由于半导体晶圆制造工艺局限性或者设计者出于同一款集成电路多种用途的考虑，在半导体晶圆级封装时需要对传输电信号的输入输入端子重新定义位置设置焊球。

参见图1，是有技术中重新定义焊球位置的方式芯片，包括晶片101’主动面形成电路后表面有电极102’和第一钝化层103’，在第一钝化层上形成第二钝化层110’，第二钝化层在电极102’附近形成开口；在第二造钝化层110’上形成再布线金属层210’；再形成第三造钝化层310’，第三钝化层在再布线210’上形成开口；在第三钝化层开口上形成凸点下金属层410’；通过植球回流的方法形成球形凸点510’；在半导体晶圆101’的背面贴一层背胶膜610’并固化；切割后形成全包封晶圆级封装的单体100’。

这种方式容易形成第三钝化层310’底部与再布线金属层210’顶部之间的分层，这种产品容易造成后续的电性能失效，并且晶圆底面结构不易散热，容易使晶圆损坏。

实用新型内容

在下文中给出关于本实用新型的简要概述，以便提供关于本实用新型的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本实用新型的穷举性概述。它并不是意图确定本实用新型的关键或重要部分，也不是意图限定本实用新型的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概 念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本实用新型要解决的至少一个技术问题是：如何避免保护层与晶片结构分层，使保护结构更牢固。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种全包封半导体芯片，包括：晶片结构，所述晶片结构底部开设有朝向所述晶片顶部延伸的背面盲孔；保护层，形成于所述晶片结构外和所述盲孔内，并露出所述晶片结构上植球部的上表面。

本实用新型至少具备如下有益效果：不需要形成第三钝化层，避免第三钝化层底部与晶圆之间分层，保护层包裹在晶片结构外不易分层变形，保护层还伸入到盲孔内，使保护层结构更加牢靠。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术芯片结构的示意图；

图2为本实用新型一种芯片结构的示意图；

图3为本实用新型另一种芯片结构的示意图。

附图标记： 

103-第一钝化层；110-第二钝化层；210-布线金属层；101-晶片；102-电极；104a-残余的连接梗；410-铜柱；320a-上保护层；320b-下保护层；320c-侧面保护层；320d-内保护层；510-焊球。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施 例，而不是全部的实施例。在本实用新型的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本实用新型无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型以下各实施例中，实施例的序号和/或先后顺序仅仅便于描述，不代表实施例的优劣。对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

本实用新型涉及一种全包封半导体芯片，参见图2和图3，包括：晶片结构，以及形成在晶片结构外周的保护层，晶片结构底部开设有朝向晶片顶部延伸的背面盲孔，保护层还形成在该盲孔内，并露出所述晶片结构上植球部的上表面。即，晶片结构上植球部的上表面从保护层中露出。