[实用新型]OLED 显示基板、显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示领域，特别是涉及一种OLED显示基板、显示装置。

背景技术

低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)最初是日本北美的技术企业为了降低Note-PC显示屏的能耗，令Note-PC显得更薄更轻而研发的技术，大约在九十年代中期这项技术开始走向试用阶段。由LTPS衍生的新一代有机发光液晶面板OLED也于1998年正式走上实用阶段，它的最大优势在于超薄、重量轻、低耗电，同时其自身发光的特点，因而可以提供更艳丽的色彩和更清晰的影像，而更为重要的是，生产成本只有普通液晶面板的1/3。AM-OLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)是有源矩阵有机发光二极体面板，相比传统的液晶面板，AM-OLED具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。

传统AM-OLED采用2T1C(两个晶体管和一个电容)驱动方式，其中一个开关晶体管，一个驱动晶体管和一个存储电容，到扫描线有效时，开关晶体管打开，将数据信号存储到存储电容；存储电容存储的电压信号控制驱动晶体管的导通，将输入的数据电压信号转换成OLED发光需要的电流信号来显示不同的灰阶。因目前LTPS制程采用的镭射退火技术，制作的晶体管的阈值电压(Vth)在空间上存在不均匀的特性，致使各个驱动晶体管阈值电压(Vth)存在较大的差异。

现在应用于AM-OLED的LTPS显示基板采用PMOS结构，传统的2T1C结构可以实现显示，但是由于多晶硅均匀性不好，Vth的波动幅度较大，从而2T1C结构的显示容易发生显示Mura(亮度不均匀)，为了改善像素显示，开发了6T1C结构或者6T2C结构，6T1C的结构能够有效的避免Vth波动的影响，改善显示品质。但是6T1C结构增加了制程复杂度，降低了产能和良率。

另外，现有OLED显示基板的存储电容的一个电极采用掺杂后的有源层形成，另一个电极采用栅金属层形成，接内部电压的电源电极(ELVDD)通过过孔与形成存储电容其中一个电极的栅金属层图形连接，由于存储电容充电时通常会有瞬间的大电流，为防止大电流通过单个过孔，通常在一个像素区域设计2个到3个过孔连接栅金属层图形和ELVDD，增加了过孔不良的概率；同时由于为了保证存储电容的大小，形成存储电容其中一个电极的栅金属层图形的面积比较大，与源漏金属层图形有很大的交叉面积，在栅金属层图形和源漏金属层之间形成了电容，造成了很大的负载，增加了整个显示基板的功耗。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板、显示装置，能够降低显示基板的功耗，并能够简化OLED显示基板的制作工艺，降低OLED显示基板的制作成本。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种OLED显示基板，包括与内部电压连接的电源电极、至少一个薄膜晶体管和至少一个存储电容，所述存储电容的第一电极为掺杂后的所述薄膜晶体管的有源层，所述存储电容的第二电极为所述电源电极。

进一步地，所述OLED显示基板还包括：

位于所述有源层和所述电源电极之间的所述薄膜晶体管的栅电极，所述栅电极与所述有源层之间间隔有栅绝缘层，所述栅电极与所述电源电极之间间隔有中间绝缘层。

进一步地，所述电源电极与所述薄膜晶体管的源电极、漏电极位于同一层。

进一步地，所述OLED显示基板还包括：

位于所述源电极、漏电极和电源电极之上的平坦层。

进一步地，所述OLED显示基板还包括：

位于所述平坦层上的阳极、有机发光层和阴极，所述阳极通过所述平坦层中的过孔与所述漏电极电性连接。

进一步地，所述有源层为采用多晶硅制成。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括上述的OLED显示基板。

本实用新型的实施例具有以下有益效果：