[实用新型]基于锁存型电压灵敏放大器PUF的AES密钥产生结构有效
申请号: | 201420795003.4 | 申请日: | 2014-12-15 |
公开(公告)号: | CN204291000U | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 赵毅强;何家骥;束庆冉;杨松 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H04L9/06 | 分类号: | H04L9/06;H04L9/08 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 李丽萍 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 锁存型 电压 灵敏 放大器 puf aes 密钥 产生 结构 | ||
1.一种基于锁存型电压灵敏放大器PUF的AES密钥产生结构,其特征在于,包括核心单元和外围电路,所述核心单元为SAPUF结构,所述SAPUF结构是一种利用StrongARM型锁存灵敏放大器作为PUF的结构;所述外围电路包括一个SRAM存储器;
所述StrongARM型锁存灵敏放大器为差分结构,包括七个场效应管:N1管、N2管、N3管、N4管、N5管、P1管和P2管,其中,N3管和N4管构成MOS对管,所述N3管和N4管的栅极接位线;N5管为使能管,N5管的栅极接使能控制信号EN,该使能控制信号EN控制放大器的开启与关断;N1管、N2管、P1管和P2管构成正反馈的锁存结构,该锁存结构相对于所述的MOS对管为负载;N1管和P1管的栅极为放大器的输出端OUT,所述P1管和P2管的源极为放大器的电源端。
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